獻(xiàn)
[0038]專利文獻(xiàn)
[0039]專利文獻(xiàn)I:日本特開(kāi)2003-347549號(hào)公報(bào)
[0040]專利文獻(xiàn)2:日本特表2002-532885號(hào)公報(bào)[0041 ] 專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)平08-316479號(hào)公報(bào)
[0042]專利文獻(xiàn)4:日本特開(kāi)平05-243561號(hào)公報(bào)
[0043]專利文獻(xiàn)5:日本特開(kāi)2006-210547號(hào)公報(bào)
[0044]專利文獻(xiàn)6:日本特開(kāi)2001-308327號(hào)公報(bào)
[0045]專利文獻(xiàn)7:日本特開(kāi)2013-084922號(hào)公報(bào)
[0046]專利文獻(xiàn)8:日本特開(kāi)平11-345969號(hào)公報(bào)
[0047]專利文獻(xiàn)9:日本特開(kāi)2001-217419號(hào)公報(bào)
[0048]專利文獻(xiàn)10:日本特許第3684962號(hào)公報(bào)
[0049]專利文獻(xiàn)11:日本特開(kāi)2001-160559號(hào)公報(bào)
[0050]專利文獻(xiàn)12:日本特開(kāi)2007-134714號(hào)公報(bào)[0051 ] 專利文獻(xiàn)13:美國(guó)專利第7514750號(hào)說(shuō)明書(shū)
[0052]專利文獻(xiàn)14:日本特許第4128777號(hào)公報(bào)
[0053]專利文獻(xiàn)15:日本特開(kāi)2013-138172號(hào)公報(bào)
[0054]專利文獻(xiàn)16:日本特開(kāi)2012-256628號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0055]技術(shù)問(wèn)題
[0056]然而，像上述專利文獻(xiàn)5那樣，η—型漂移層102的被設(shè)置在P型基區(qū)103間的部分(未設(shè)有P型基區(qū)103的部分)與發(fā)射極電絕緣而成為浮置區(qū)(以下，稱為浮置η—區(qū))。在該浮置η—區(qū)，處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)容易蓄積載流子(空穴)，設(shè)置在溝槽105的側(cè)壁的柵極絕緣膜106的與浮置η—區(qū)接觸的部分也成為柵極-集電極間電容Ca。因此，將P型基區(qū)103分割成多個(gè)而使單位單元的臺(tái)面區(qū)內(nèi)的有限的區(qū)域?yàn)榘l(fā)射極結(jié)構(gòu)，從而即使維持導(dǎo)通電壓，也存在柵極-集電極間電容Ccc大，開(kāi)關(guān)損耗變大的問(wèn)題。
[0057]本發(fā)明為了消除上述的因現(xiàn)有技術(shù)引起的問(wèn)題，目的在于提供能夠維持導(dǎo)通電壓，并且能夠降低開(kāi)關(guān)損耗的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0058]技術(shù)方案
[0059]為了解決上述課題，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具有如下特征。以從第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面起算在深度方向上以預(yù)定的深度沿著與上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面平行的方向延伸的條狀的方式設(shè)有多個(gè)溝槽。在上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面的表面層的被上述溝槽分離的臺(tái)面區(qū)，以比上述溝槽淺的深度設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的整個(gè)表面層的第二導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)。在上述第一半導(dǎo)體區(qū)的內(nèi)部選擇性地設(shè)有第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體區(qū)。在上述溝槽的內(nèi)部，隔著柵極絕緣膜設(shè)置第一電極。在上述第一半導(dǎo)體層的另一側(cè)的面的表面層設(shè)有雜質(zhì)濃度比上述第一半導(dǎo)體層高的第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層。以與上述第二半導(dǎo)體層接觸的方式設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體層的另一側(cè)的面的表面層的比上述第二半導(dǎo)體層淺的位置的第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層。設(shè)有與上述第一半導(dǎo)體區(qū)和上述第二半導(dǎo)體區(qū)接觸的第二電極。設(shè)有與上述第三半導(dǎo)體層接觸的第三電極。并且，上述第二半導(dǎo)體層的厚度比上述第一半導(dǎo)體層的被設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體區(qū)與上述第二半導(dǎo)體層之間的部分的厚度厚。
[0060]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，上述第二半導(dǎo)體區(qū)以預(yù)定的間隔被設(shè)置在上述溝槽呈條狀延伸的第一方向，上述第一半導(dǎo)體區(qū)的在上述第一方向被設(shè)置在相鄰的上述第二半導(dǎo)體區(qū)之間的部分被覆蓋，上述絕緣層覆蓋上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面。
[0061]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，還具備第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體區(qū)，其選擇性地設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體區(qū)的內(nèi)部，且雜質(zhì)濃度比上述第一半導(dǎo)體區(qū)高，上述第二電極隔著上述第三半導(dǎo)體區(qū)而與上述第一半導(dǎo)體區(qū)電連接。
[0062]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，在隔著上述溝槽而相鄰的上述臺(tái)面區(qū)，在與上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面平行的方向且與上述第一方向正交的第二方向，與上述溝槽接觸的上述第二半導(dǎo)體區(qū)和在上述溝槽間未設(shè)有上述第二半導(dǎo)體區(qū)的部分交替出現(xiàn)。
[0063]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，上述第一半導(dǎo)體區(qū)的厚度、上述第一半導(dǎo)體層的被設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體區(qū)與上述第二半導(dǎo)體層之間的部分的厚度、上述第二半導(dǎo)體層的厚度以及上述第三半導(dǎo)體層的厚度的總計(jì)為35μπι以上且60μπι以下。
[0064]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，上述第二半導(dǎo)體層的厚度為15μηι以上且30μηι以下。
[0065]另外，為了解決上述的課題，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有如下特征。首先，進(jìn)行以從第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面起算在深度方向上以預(yù)定的深度沿著與上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面平行的方向延伸的條狀的方式形成多個(gè)溝槽的第一工序。接下來(lái)，進(jìn)行在上述溝槽的內(nèi)部，隔著柵極絕緣膜而形成第一電極的第二工序。接著，進(jìn)行在上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面的表面層的被上述溝槽分離的臺(tái)面區(qū)，以比上述溝槽淺的深度且在上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的整個(gè)表面層形成第二導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)的第三工序。接下來(lái)，進(jìn)行在上述第一半導(dǎo)體區(qū)的內(nèi)部選擇性地形成第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體區(qū)的第四工序。接著，進(jìn)行在上述第一半導(dǎo)體層的另一側(cè)的面的表面層形成雜質(zhì)濃度比上述第一半導(dǎo)體層高的第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層的第五工序。接下來(lái)，進(jìn)行在上述第一半導(dǎo)體層的另一側(cè)的面的表面層的比上述第二半導(dǎo)體層淺的位置形成與上述第二半導(dǎo)體層接觸的第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層的第六工序。在上述第五工序中，使上述第二半導(dǎo)體層的厚度比上述第一半導(dǎo)體層的被設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體區(qū)與上述第二半導(dǎo)體層之間的部分的厚度厚。
[0066]為了解決上述的課題，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具有如下特征。以從第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面起算在深度方向上以預(yù)定的深度沿著與上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面平行的方向延伸的條狀的方式設(shè)有多個(gè)溝槽。在上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面的表面層的被上述溝槽分離的臺(tái)面區(qū)，以比上述溝槽淺的深度設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的整個(gè)表面層的第二導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)。在上述第一半導(dǎo)體區(qū)的內(nèi)部選擇性地設(shè)有第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體區(qū)。在上述溝槽的內(nèi)部，隔著柵極絕緣膜設(shè)有第一電極。在上述第一半導(dǎo)體層的另一側(cè)的面的表面層設(shè)有雜質(zhì)濃度比上述第一半導(dǎo)體層高的第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層。以與上述第二半導(dǎo)體層接觸的方式設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體層的另一側(cè)的面的表面層的比上述第二半導(dǎo)體層淺的位置的第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層。設(shè)有與上述第一半導(dǎo)體區(qū)和上述第二半導(dǎo)體區(qū)接觸的第二電極。設(shè)有與上述第三半導(dǎo)體層接觸的第三電極。上述第二半導(dǎo)體層具有第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。上述第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層配置在與上述第三半導(dǎo)體層分離的位置。上述第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度比上述第三半導(dǎo)體層低。上述第二個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層配置在上述第三半導(dǎo)體層與上述第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間。上述第二個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度比上述第三半導(dǎo)體層低，且雜質(zhì)濃度比上述第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層高。
[0067]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，上述第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層是摻雜質(zhì)子而成的。
[0068]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，上述第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以從上述第三半導(dǎo)體層與上述第三電極的界面起算至少包括2.Ομπι以上且8.Ομπι以下的深度的區(qū)域的方式配置。
[0069]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，上述第二個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層是摻雜磷而成的。
[0070]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，上述第二個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層被配置在距離上述第三半導(dǎo)體層與上述第三電極的界面0.5μπι以上且3.Ομπι以下的深度的范圍內(nèi)。
[0071]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，上述第一半導(dǎo)體區(qū)的厚度、上述第一半導(dǎo)體層的被設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體區(qū)與上述第二半導(dǎo)體層之間的部分的厚度、上述第二半導(dǎo)體層的厚度以及上述第三半導(dǎo)體層的厚度的總計(jì)為60μπι以下。
[0072]另外，為了解決上述的課題，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有如下特征。首先，進(jìn)行以從第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面起算在深度方向上以預(yù)定的深度沿著與上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面平行的方向延伸的條狀的方式形成多個(gè)溝槽的第一工序。接下來(lái)，進(jìn)行在上述溝槽的內(nèi)部，隔著柵極絕緣膜而形成第一電極的第二工序。接著，進(jìn)行在上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的面的表面層的被上述溝槽分離的臺(tái)面區(qū)，以比上述溝槽淺的深度、在上述第一半導(dǎo)體層的一側(cè)的整個(gè)表面層形成第二導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)的第三工序。接下來(lái)，進(jìn)行在上述第一半導(dǎo)體區(qū)的內(nèi)部選擇性地形成第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體區(qū)的第四工序。接著，進(jìn)行在上述第一半導(dǎo)體層的另一側(cè)的面的表面層形成雜質(zhì)濃度比上述第一半導(dǎo)體層高的第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層的第五工序。接下來(lái)，進(jìn)行在上述第一半導(dǎo)體層的另一側(cè)的面的表面層的比上述第二半導(dǎo)體層淺的位置形成與上述第二半導(dǎo)體層接觸的第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層的第六工序。在上述第五工序中，首先，進(jìn)行在與上述第三半導(dǎo)體層分離的位置形成雜質(zhì)濃度比上述第三半導(dǎo)體層低的第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一形成工序。其后，進(jìn)行在上述第三半導(dǎo)體層與上述第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間形成雜質(zhì)濃度比上述第三半導(dǎo)體層低，且雜質(zhì)濃度比上述第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層高的第二個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第二形成工序。
[0073]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征是，在上述的發(fā)明中，在上述第一形成工序中，通過(guò)來(lái)自上述第一半導(dǎo)體層的另一側(cè)的面的質(zhì)子照射而形成上述第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
[0074]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征是，在上述的發(fā)明中，上述質(zhì)子照射的劑量為1.0X 11Vcm2以上且1.0X 1015/cm2以下。
[0075]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征是，在上述的發(fā)明中，上述質(zhì)子照射的加速電壓為400keV以上且1.5MeV以下。
[0076]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征是，在上述的發(fā)明中，在上述第一形成工序中，在上述質(zhì)子照射之后進(jìn)行在330°C以上且450°C以下的溫度下的退火。
[0077]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征是，在上述的發(fā)明中，在上述第二形成工序中，通過(guò)從上述第一半導(dǎo)體層的另一側(cè)的面進(jìn)行磷的離子注入來(lái)形成上述第二個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
[0078]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征是，在上述的發(fā)明中，上述離子注入中的磷的劑量為5.0 X 11Vcm2以上且I.0 X 1013/cm2以下。
[0079]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征是，在上述的發(fā)明中，上述離子注入的加速電壓為10keV以上且900keV以下。
[0080]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征是，在上述的發(fā)明中，在上述第二形成工序中，在上述離子注入之后進(jìn)行在330°C以上且450°C以下的溫度下的退火或激光退火。
[0081]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，還具備第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體區(qū)，其在上述溝槽呈條狀延伸的第一方向上直線狀地設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體區(qū)的內(nèi)部，且雜質(zhì)濃度比上述第一半導(dǎo)體區(qū)高。
[0082]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，上述第三半導(dǎo)體區(qū)被設(shè)置為通過(guò)上述第二半導(dǎo)體區(qū)的上述第一半導(dǎo)體層側(cè)的直線狀。
[0083]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，上述第二半導(dǎo)體區(qū)被設(shè)置為以在上述第一方向以預(yù)定的間隔且在深度方向與上述第三半導(dǎo)體區(qū)對(duì)置的方式遍及相鄰的溝槽間。
[0084]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，上述第三半導(dǎo)體區(qū)的深度為0.5μηι以上。
[0085]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述的發(fā)明中，上述第三半導(dǎo)體區(qū)的深度與上述第二半導(dǎo)體區(qū)的深度相同，或者比上述第二半導(dǎo)體區(qū)的深度深。上述第三半導(dǎo)體區(qū)的深度與上述第二半導(dǎo)體區(qū)的深度之差為0.Ομπι以上且0.3μηι以下。
[0086]根據(jù)上述的發(fā)明，通過(guò)采用在溝槽間的臺(tái)面區(qū)的基板正面?zhèn)鹊恼麄€(gè)表面層配置與第二電極相同電位的第一半導(dǎo)體區(qū)，提高基板正面?zhèn)鹊臏系烂芏?，增加多?shù)載流子向第一半導(dǎo)體層的注入量的結(jié)構(gòu)，從而能夠降低導(dǎo)通電壓。另外，根據(jù)上述的發(fā)明，通過(guò)在溝槽間的臺(tái)面區(qū)的基板正面?zhèn)鹊恼麄€(gè)表面層配置發(fā)射極電位的第一半導(dǎo)體區(qū)，從而柵極絕緣膜與第一半導(dǎo)體層的接觸面積變小，因此能夠降低開(kāi)關(guān)損耗。
[0087]另外，根據(jù)上述的發(fā)明，通過(guò)設(shè)置第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層作為第二半導(dǎo)體層，能夠抑制與以往同樣地在制造工藝中產(chǎn)生在晶片背面的損傷、顆粒等引起的不良發(fā)生，并且能夠增加殘留在第三半導(dǎo)體層側(cè)的載流子，能夠抑制關(guān)斷時(shí)的電壓-電流波形的振蕩。由此，能夠使晶片薄板化，因此能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通電壓化和低開(kāi)關(guān)損耗化。
[0088]另外，根據(jù)上述的發(fā)明，通過(guò)在與第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層相比距離基板背面淺的位置設(shè)置第二個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層作為第二半導(dǎo)體層，能夠防止在關(guān)斷時(shí)，從第二半導(dǎo)體區(qū)側(cè)延伸的耗盡層穿通第三半導(dǎo)體層而產(chǎn)生的耐壓降低，并且能夠抑制載流子從第三半導(dǎo)體層側(cè)向漂移層的注入。這樣，由于能夠進(jìn)一步使晶片薄板化，所以能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電壓化和低開(kāi)關(guān)損耗化。
[0089]發(fā)明效果
[0090]根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法，起到能夠維持導(dǎo)通電壓，并且能夠降低開(kāi)關(guān)損耗的效果。
【附圖說(shuō)明】
[0091]圖1是表示實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0092]圖2是表示額定電壓600V的半導(dǎo)體裝置在深度方向的雜質(zhì)濃度分布的特性圖。
[0093]圖3是表示額定電壓350V的半導(dǎo)體裝置在深度方向的雜質(zhì)濃度分布的特性圖。
[0094]圖4是表示實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0095]圖5是表示實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0096]圖6是表示實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0097]圖7是表示實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的輸出特性的特性圖。
[0098]圖8是表示實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)通電壓與半導(dǎo)體基板的厚度之間的關(guān)系的特性圖。
[0099]圖9是表示實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0100]圖10是表示圖9的半導(dǎo)體裝置在深度方向的雜質(zhì)濃度分布的特性圖。
[0101]圖11是表示實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置在制造過(guò)程中的狀態(tài)的截面圖。
[0102]圖12是表示實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置在制造過(guò)程中的狀態(tài)的截面圖。
[0103]圖13是表示實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置在制造過(guò)程中的狀態(tài)的截面圖。
[0104]圖14是表示實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置在制造過(guò)程中的狀態(tài)的截面圖。
[0105]圖15是表示實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0106]圖16是表示圖15的半導(dǎo)體裝置在深度方向的雜質(zhì)濃度分布的特性圖。
[0107]圖17是表示實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0108]圖18是表示圖17的半導(dǎo)體裝置在深度方向的雜質(zhì)濃度分布的特性圖。
[0109]圖19是表示實(shí)施方式8的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0110]圖20是表示圖19的半導(dǎo)體裝置在深度方向的雜質(zhì)濃度分布的特性圖。
[0111]圖21是表示實(shí)施方式9的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0112]圖22是表示圖21的半導(dǎo)體裝置在深度方向的雜質(zhì)濃度分布的特性圖。
[0113]圖23是表示實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)通電壓與開(kāi)關(guān)損耗之間的權(quán)衡關(guān)系的特性圖。
[0114]圖24是表示現(xiàn)有的溝槽柵型IGBT的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0115]圖25是表示現(xiàn)有的FS-1GBT的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0116]圖26是表示圖25的FS-1GBT在深度方向的雜質(zhì)濃度分布的特性圖。
[0117]圖27是表示現(xiàn)有的FS-1GBT的另一結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0118]圖28是表示圖27的FS-1GBT在深度方向的雜質(zhì)濃度分布的特性圖。
[0119]圖29是表示現(xiàn)有的FS-1GBT在制造過(guò)程中的狀態(tài)的截面圖。
[0120]圖30是表示現(xiàn)有的FS-1GBT在制造過(guò)程中的狀態(tài)的截面圖。
[0121]圖31是表示現(xiàn)有的FS-1GBT在