追加在P型基區(qū)3的形成后形成P+型接觸區(qū)13的工序，且使層間絕緣膜的接觸孔形成為沿著溝槽5的長度方向延伸的條狀。在P+型接觸區(qū)13的形成中，通過使用例如與P+型接觸區(qū)13的形成區(qū)域?qū)?yīng)的部分開口的掩模，從基板正面?zhèn)冗M(jìn)行P型雜質(zhì)的離子注入來形成P+型接觸區(qū)13。實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的除此以外的構(gòu)成與實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的制造方法相同。
[0165]如以上所說明，根據(jù)實(shí)施方式2，能夠獲得與實(shí)施方式I同樣的效果。另外，根據(jù)實(shí)施方式2，通過設(shè)置P+型接觸區(qū)，能夠控制由P+型集電層、n+型緩沖層、η—型漂移層、P型基區(qū)和η+型發(fā)射區(qū)構(gòu)成的寄生的ρηρη晶閘管的動作而防止產(chǎn)生閂鎖。
[0166](實(shí)施方式3)
[0167]接下來，對實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖5是表示實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置與實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的不同之處在于將η+型發(fā)射區(qū)14設(shè)置為沿著溝槽5的長度方向延伸的條狀。即，在溝槽5的長度方向連續(xù)地形成有發(fā)射極結(jié)構(gòu)(單元)。發(fā)射極(未圖示)經(jīng)由層間絕緣膜的接觸孔而與η+型發(fā)射區(qū)14和P+型接觸區(qū)13連接，且經(jīng)由P+型接觸區(qū)13而與P型基區(qū)3電連接。
[0168]對于實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的制造方法，可以在實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的制造方法中將在用于形成η+型發(fā)射區(qū)14的離子注入中使用的掩模的開口圖案設(shè)為沿著溝槽5的長度方向延伸的條狀。實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的制造方法的除此以外的構(gòu)成與實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的制造方法相同。
[0169]如以上所說明，根據(jù)實(shí)施方式3，能夠獲得與實(shí)施方式1、2同樣的效果。另外，根據(jù)實(shí)施方式3，通過將η+型發(fā)射區(qū)設(shè)置成沿著溝槽的長度方向延伸的條狀，從而使η+型發(fā)射區(qū)在臺面區(qū)中所占的比率變大，能夠進(jìn)一步提高溝道密度。由此，能夠進(jìn)一步降低導(dǎo)通電壓。
[0170](實(shí)施方式4)
[0171]接下來，對實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖6是表示實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置與實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的不同之處在于在溝槽長度方向以預(yù)定間隔設(shè)置P+型接觸區(qū)23，經(jīng)由P+型接觸區(qū)23將發(fā)射極(未圖示)與P型基區(qū)3電連接。在圖6的立體圖上表面，陰影部分是η+型發(fā)射區(qū)4、ρ+型接觸區(qū)23和P型基區(qū)3與發(fā)射極的接觸部28，沒有陰影的部分是被層間絕緣膜覆蓋的部分。另外，用虛線包圍的部分是P+型接觸區(qū)23。
[0172]具體而言，如圖6所示，在P型基區(qū)3的內(nèi)部，在基板正面?zhèn)鹊谋砻鎸?，沿著溝?的長度方向以預(yù)定間隔選擇性地設(shè)有P+型接觸區(qū)23。？+型接觸區(qū)23在同一臺面區(qū)內(nèi)被設(shè)置在沿著溝槽5的寬度方向相鄰的n+型發(fā)射區(qū)4間。在層間絕緣膜，沿著溝槽5的長度方向以預(yù)定間隔選擇性地設(shè)有接觸孔。發(fā)射極經(jīng)由層間絕緣膜的接觸孔而與n+型發(fā)射區(qū)4和P+型接觸區(qū)23連接，且經(jīng)由P+型接觸區(qū)23而與P型基區(qū)3電連接。
[0173]對于實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造方法，例如可以在實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的制造方法中追加在P型基區(qū)3的形成后形成P+型接觸區(qū)23的工序。在P+型接觸區(qū)23的形成中，通過使用例如與P+型接觸區(qū)23的形成區(qū)域?qū)?yīng)的部分開口的掩模，從基板正面?zhèn)冗M(jìn)行P型雜質(zhì)的離子注入，從而形成P+型接觸區(qū)23。實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的除此以外的構(gòu)成與實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的制造方法相同。
[0174]如以上所說明，根據(jù)實(shí)施方式4，能夠獲得與實(shí)施方式I同樣的效果。
[0175](實(shí)施例1)
[0176]接下來，對本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的輸出特性進(jìn)行說明。圖7是表示實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的輸出特性(集電極-發(fā)射極間電壓Vce-集電極電流Ic特性)的特性圖。在圖7中示出上述的實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置(以下，稱為實(shí)施例1)的輸出特性。在圖7中，作為比較，還示出通過在溝槽105的長度方向以預(yù)定間隔選擇性地設(shè)置P型基區(qū)103而將臺面區(qū)內(nèi)的有限的區(qū)域作為發(fā)射極結(jié)構(gòu)來提高IE效應(yīng)的現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置(參照圖24，以下稱為現(xiàn)有例I)的輸出特性?，F(xiàn)有例I的除了 P型基區(qū)103以外的構(gòu)成與實(shí)施例1相同。根據(jù)圖7所示的結(jié)果，可確認(rèn)與現(xiàn)有例I相比，在實(shí)施例1中，集電極-發(fā)射極間飽和電壓低，開關(guān)動作快。
[0177](實(shí)施例2)
[0178]接下來，對導(dǎo)通電壓Vcin與半導(dǎo)體基板的厚度D之間的關(guān)系進(jìn)行說明。圖8是表示實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)通電壓與半導(dǎo)體基板的厚度之間的關(guān)系的特性圖。針對實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置(以下稱為實(shí)施例2)，對將半導(dǎo)體基板(硅基板)的厚度D設(shè)為30μπι?80μπι時(shí)的導(dǎo)通電壓進(jìn)行了驗(yàn)證，將結(jié)果示于圖8。在圖8中，作為比較，還示出對于通過在溝槽105的長度方向以預(yù)定間隔選擇性地設(shè)置P型基區(qū)103而將在臺面區(qū)內(nèi)的有限的區(qū)域作為發(fā)射極結(jié)構(gòu)來提高IE效應(yīng)的現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置(參照圖24，以下稱為現(xiàn)有例2)，將半導(dǎo)體基板的厚度設(shè)為與實(shí)施例2相同的條件時(shí)的導(dǎo)通電壓?，F(xiàn)有例2的除了 P型基區(qū)103以外的構(gòu)成與實(shí)施例2相同。
[0179]根據(jù)圖8所示的結(jié)果，可確認(rèn)在實(shí)施例2中，在半導(dǎo)體基板的厚度D為60μπι以下(SP額定電壓600V以下)的情況下，與現(xiàn)有例2相比，能夠降低導(dǎo)通電壓Von。其理由是因?yàn)樵趯雽?dǎo)體基板的厚度D設(shè)為60μηι以下的情況下，在像以往那樣提高IE效應(yīng)的結(jié)構(gòu)中，由于η—型漂移層102的厚度過薄，所以難以在發(fā)射極側(cè)蓄積載流子，難以獲得IE效應(yīng)。因此，可確認(rèn)在將半導(dǎo)體基板的厚度D設(shè)為60μπι以下而構(gòu)成例如額定電壓300V?600V的IGBT的情況下，與像以往那樣采用提高IE效應(yīng)的結(jié)構(gòu)相比，優(yōu)選采用像本發(fā)明那樣提高發(fā)射極側(cè)的溝道密度，從而增加電子向η—型漂移層2的注入量的結(jié)構(gòu)。
[0180](實(shí)施方式5)
[0181]接下來，對實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖9是表示實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖10是表示圖9的半導(dǎo)體裝置在深度方向的雜質(zhì)濃度分布的特性圖。實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置與實(shí)施方式I的半導(dǎo)體裝置的不同之處在于具備摻雜質(zhì)子而成的緩沖層(以下，稱為質(zhì)子摻雜緩沖層(第一個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層))31、摻雜磷而成的緩沖層(以下，稱為磷摻雜緩沖層(第二個(gè)第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層))32這兩層結(jié)構(gòu)的緩沖層。即，P型基區(qū)3的厚度tl、n—型漂移層2的厚度t2、質(zhì)子摻雜緩沖層31的厚度t31、磷摻雜緩沖層32的厚度t32和P+型集電層I的厚度t4的總計(jì)成為半導(dǎo)體基板的厚度(硅厚度)D。另外，在實(shí)施方式5中，質(zhì)子摻雜緩沖層31的厚度t31和磷摻雜緩沖層32的厚度t32的總計(jì)與η—型漂移層2的厚度t2大致相同，或者比η—型漂移層2的厚度t2厚。
[0182]在圖9、圖10中，將質(zhì)子摻雜緩沖層31的導(dǎo)電型記為n+(H+)，將磷摻雜緩沖層32的導(dǎo)電型記為n+(P)(在圖14?22中也是同樣)。具體而言，如圖9、圖10所示，質(zhì)子摻雜緩沖層31被設(shè)置在與磷摻雜緩沖層32相比距離基板背面更深的位置，且與磷摻雜緩沖層32和η—型漂移層2接觸。即，質(zhì)子摻雜緩沖層31配置在磷摻雜緩沖層32與η—型漂移層2之間。具體而言，優(yōu)選質(zhì)子摻雜緩沖層31以包括距離基板背面至少2.Ομπι以上且8.Ομπι以下程度的深度的區(qū)域的方式配置。其理由是因?yàn)槟軌蚓S持耐壓，并且是為了在關(guān)斷時(shí)在集電極側(cè)殘留載流子而抑制振蕩最適的深度。另外，質(zhì)子摻雜緩沖層31由形成在距離基板背面不同的深度的多層的緩沖層構(gòu)成。構(gòu)成質(zhì)子摻雜緩沖層31的各緩沖層例如以在深度方向相鄰的層彼此相互接觸的方式配置。在圖10中示出質(zhì)子摻雜緩沖層31包括3層緩沖層(以下，稱為第一質(zhì)子摻雜緩沖層?第三質(zhì)子摻雜緩沖層)31a?31c的情況。
[0183]第一質(zhì)子摻雜緩沖層?第三質(zhì)子摻雜緩沖層3Ia?31 c的雜質(zhì)濃度分別從雜質(zhì)濃度峰的位置向n+型發(fā)射區(qū)4側(cè)和P+型集電層I側(cè)變低。第一質(zhì)子摻雜緩沖層?第三質(zhì)子摻雜緩沖層31a?31c的峰濃度(雜質(zhì)濃度峰的雜質(zhì)濃度)是越在距離基板背面深的位置越低。具體而言，配置在距離基板背面最深的位置的第一質(zhì)子摻雜緩沖層31a的峰濃度比第二質(zhì)子摻雜緩沖層31b、第三質(zhì)子摻雜緩沖層31c的峰濃度低。配置在距離基板背面第二深的位置的第二質(zhì)子摻雜緩沖層31b的峰濃度比配置在距離基板背面最淺的位置的第三質(zhì)子摻雜緩沖層31c的峰濃度低。質(zhì)子摻雜緩沖層31的厚度(S卩，第一質(zhì)子摻雜緩沖層?第三質(zhì)子摻雜緩沖層31a?31c的厚度的總計(jì))t31比磷摻雜緩沖層32的厚度t32厚。
[0184]磷摻雜緩沖層32配置在P+型集電層I與質(zhì)子摻雜緩沖層31之間，并且與P+型集電層I和質(zhì)子摻雜緩沖層31接觸。即，磷摻雜緩沖層32設(shè)置在與P+型集電層I相比距離基板背面更深的位置，且與質(zhì)子摻雜緩沖層31相比距離基板背面更淺的位置。具體而言，優(yōu)選磷摻雜緩沖層32被配置在距離基板背面0.5μπι以上且3.Ομπι以下程度的深度的范圍內(nèi)。磷摻雜緩沖層32的雜質(zhì)濃度從雜質(zhì)濃度峰的位置向η+型發(fā)射區(qū)4側(cè)和P+型集電層I側(cè)變低。另外，磷摻雜緩沖層32的峰濃度比P+型集電層I的雜質(zhì)濃度低，且比與磷摻雜緩沖層32接觸的第三質(zhì)子摻雜緩沖層31c的峰濃度高。另外，在P型基區(qū)3的內(nèi)部也可以與實(shí)施方式2?實(shí)施方式4同樣地設(shè)有P+型接觸區(qū)13 (23)。
[0185]接下來，對實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置的各部分的尺寸和雜質(zhì)濃度的一個(gè)例子進(jìn)行說明。在例如額定電壓為600V的情況下，使耐壓為700V左右，各部分的尺寸和雜質(zhì)濃度設(shè)為如下的值。半導(dǎo)體基板的厚度D和P型基區(qū)3的厚度tl與實(shí)施方式I相同。η—型漂移層2的厚度t2為28.2μπι，其電阻率與實(shí)施方式I相同。第一質(zhì)子摻雜緩沖層31a的峰濃度為7.0 X 114/cm3，其厚度t311為9.Ομπι。第二質(zhì)子摻雜緩沖層31b的峰濃度為2.0 X 11Vcm3，其厚度t312為9.Ομπι。第三質(zhì)子摻雜緩沖層31c的峰濃度為8.5 X 1015/cm3，其厚度t313為9.5μπι。磷摻雜緩沖層32的峰濃度為4.0 X 11Vcm3，其厚度t32為1.Ομπ^ρ+型集電層I的雜質(zhì)濃度為4.0 X1017/cm3，其厚度t4為0.5μπι。即，質(zhì)子摻雜緩沖層31的厚度t31和磷摻雜緩沖層32的厚度t32的總計(jì)為28.5μπι。
[0186]接下來，對實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。圖11?圖14是表示實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置在制造過程中的狀態(tài)的截面圖。首先，如圖11所示，作為起始晶片，例如準(zhǔn)備成為η—型漂移層2的η—型的半導(dǎo)體晶片。接下來，在半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)?，與實(shí)施方式I同樣地形成由P型基區(qū)3、η+型發(fā)射區(qū)4、溝槽5、柵極絕緣膜6和柵極7構(gòu)成的溝槽柵型的MOS柵極結(jié)構(gòu)。接著，在半導(dǎo)體晶片的正面形成層間絕緣膜11，之后與實(shí)施方式I同樣地形成在深度方向貫穿層間絕緣膜11的接觸孔，從而使η+型發(fā)射區(qū)4和P型基區(qū)3露出。在此，形成P+型接觸區(qū)13(23)作為MOS柵極結(jié)構(gòu)的情況下，與實(shí)施方式2?實(shí)施方式4同樣地形成P+型接觸區(qū)13(23)、接觸孔即可。以下，以形成了 P+型接觸區(qū)13的情況為例進(jìn)行說明。
[0187]接下來，如圖12所示，在半導(dǎo)體晶片的正面形成經(jīng)由層間絕緣膜11的接觸孔而與η+型發(fā)射區(qū)4和ρ+型接觸區(qū)13接觸的發(fā)射極12。接著，如圖13所示，從背面?zhèn)饶ハ靼雽?dǎo)體晶片，磨削到用作半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)品厚度的位置為止。產(chǎn)品厚度是上述的半導(dǎo)體基板的厚度D。接下來，如圖14所示，從半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行質(zhì)子的多級注射后，通過在例如330°C以上且450°C以下程度的溫度下進(jìn)行熱處理(退火)，從而在半導(dǎo)體晶片的磨削后的背面?zhèn)鹊念A(yù)定的位置形成質(zhì)子摻雜緩沖層31。用于形成質(zhì)子摻雜緩沖層31的質(zhì)子的多級注射條件優(yōu)選是例如將加速電壓設(shè)為400keV以上且1.5MeV以下的范圍內(nèi)，將劑量設(shè)為1.0X 11Vcm2以上且1.0X 1015/cm2以下的范圍內(nèi)，進(jìn)行加速電壓和劑量各不相同的多次的質(zhì)子注入。
[0188]具體而言，例如在制作(制造)上述的額定電壓600V的半導(dǎo)體裝置的情況下，用于形成成為質(zhì)子摻雜緩沖層31的3層緩沖層(第一質(zhì)子摻雜緩沖層?第三質(zhì)子摻雜緩沖層31a?31c)的質(zhì)子的多級注射條件和熱處理?xiàng)l件如下。用于形成第一質(zhì)子摻雜緩沖層31a的質(zhì)子注入條件例如可以是將加速電壓設(shè)為1.4MeV，將劑量設(shè)為2.0X1013/cm2。用于形成第二質(zhì)子摻雜緩沖層31b的質(zhì)子注入條件例如可以是將加速電壓設(shè)為1.0MeV，將劑量設(shè)為5.0 X1013/cm2。用于形成第三質(zhì)子摻雜緩沖層31c的質(zhì)子注入條件例如可以是將加速電壓設(shè)為750keV，將劑量設(shè)為2.0X1014/cm2。通過以這樣的條件形成第一質(zhì)子摻雜緩沖層?第三質(zhì)子摻雜緩沖層31a?31c，從而在上述例示的深度形成預(yù)定的厚度t31的質(zhì)子摻雜緩沖層31。形成第一質(zhì)子摻雜緩沖層?第三質(zhì)子摻雜緩沖層31a?31(:的順序可以進(jìn)行各種改變。另夕卜，熱處理?xiàng)l件是在350°C左右的溫度下進(jìn)行2小時(shí)左右。
[0189]接下來，從半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行磷的離子注入，形成磷摻雜緩沖層32。用于形成磷摻雜緩沖層32的磷的離子注入條件優(yōu)選例如是將加速電壓設(shè)為10keV以上且900keV以下，將劑量設(shè)為5.0X 11Vcm2以上且1.0X 11Vcm2以下。具體而言，例如制作上述的額定電壓600V的半導(dǎo)體裝置的情況下，用于形成磷摻雜緩沖層32的磷的離子注入條件可以是將加速電壓設(shè)為700keV，將劑量設(shè)為1.0X1012/cm2。由此，在與質(zhì)子摻雜緩沖層31相比距離基板背面更淺的位置形成預(yù)定的厚度t32的磷摻雜緩沖層32。接著，從半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行例如硼等P型雜質(zhì)的離子注入，形成P+型集電層I。為了形成P+型集電層1，例如硼的離子注入條件可以是將加速電壓設(shè)為45keV，將劑量設(shè)為1.0乂1013/0112。然后，通過在例如330°(3以上且450°C以下程度的溫度下進(jìn)行退火或激光退火，從而使磷摻雜緩沖層32和P+型集電層I活化。接下來，通過在半導(dǎo)體晶片的背面形成集電極9，從而完成圖9所示的半導(dǎo)體裝置。
[0190]如以上所說明，根據(jù)實(shí)施方式5，通過在距離基板背面深的位置設(shè)置多個(gè)緩沖層連續(xù)而成的質(zhì)子摻雜緩沖層，從而能夠抑制在關(guān)斷時(shí)從發(fā)射極側(cè)延伸的耗盡層穿通P+型集電層而產(chǎn)生的耐壓降低(場終止功能)，能夠獲得與實(shí)施方式I同樣的效果。另外，根據(jù)實(shí)施方式5，通過設(shè)置質(zhì)子摻雜緩沖層，能夠抑制與以往同樣地在制造工藝中產(chǎn)生在晶片背面的損傷、顆粒等導(dǎo)致的不良，并且能夠增加殘留在集電極側(cè)的載流子，能夠抑制關(guān)斷時(shí)的電壓-電流波形的振蕩。由此，能夠使漂移層的厚度(晶片的厚度)變薄(薄板化)，因此能夠降低導(dǎo)通電壓，并且能夠降低開關(guān)損耗。
[0191]另外，根據(jù)實(shí)施方式5，通過在與質(zhì)子摻雜緩沖層相比距離基板背面更淺的位置設(shè)置磷摻雜緩沖層，能夠防止因在關(guān)斷時(shí)從發(fā)射極側(cè)延伸的耗盡層穿通P+型集電層而產(chǎn)生的耐壓降低，并且能夠抑制載流子從集電極側(cè)向漂移層的注入。由此，能夠使晶片薄板化，因此能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電壓化和低開關(guān)損耗化。在額定電壓600V以下的低耐壓中，雖然相對于半導(dǎo)體基板的厚度，質(zhì)子摻雜緩沖層的厚度厚，但通過設(shè)置磷摻雜緩沖層，能夠使導(dǎo)通電壓與開關(guān)損耗之間的權(quán)衡關(guān)系成為更良好的狀態(tài)。即，通過設(shè)置質(zhì)子摻雜緩沖層與磷摻雜緩沖層這兩層結(jié)構(gòu)的緩沖層，能夠進(jìn)一步改善導(dǎo)通電壓與開關(guān)損耗之間的權(quán)衡關(guān)系。
[0192]另外，根據(jù)實(shí)施方式5，通過在晶片正面?zhèn)刃纬烧嬖Y(jié)構(gòu)(M0S柵極結(jié)構(gòu)等)之后使晶片薄板化，能夠在晶片的機(jī)械強(qiáng)度高的狀態(tài)下在晶片正面形成正面元件結(jié)構(gòu)。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)正面元件結(jié)構(gòu)的微細(xì)化，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電壓化。
[ΟΙ93](實(shí)施方式6)
[0194]接下來，對實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖15是表示實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖16是表示圖15的半導(dǎo)體裝置在深度方向的雜質(zhì)濃度分布的特性圖。實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置與實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置的不同之處在于使質(zhì)子摻雜緩沖層31與磷摻雜緩沖層32分離地配置，在距離基板背面更深的位置設(shè)置質(zhì)子摻雜緩沖層31。具體而言，在質(zhì)子摻雜緩沖層31與磷摻雜緩沖層32之間設(shè)有η—型層33。即，P型基區(qū)3的厚度tl、n—型漂移層2的厚度t2、質(zhì)子摻雜緩沖層31的厚度t31、n—型層33的厚度t5、磷摻雜緩沖層32的厚度t32和P+型集電層I的厚度t4的總計(jì)成為半導(dǎo)體基板的厚度Dm—型層33的雜質(zhì)濃度例如與η—型漂移層2的雜質(zhì)濃度相同。
[0195]接下來，對實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置的各部分的尺寸和雜質(zhì)濃度的一個(gè)例子進(jìn)行說明。例如在額定電壓為600V的情況下，耐壓為700V左右，各部分的尺寸和雜質(zhì)濃度設(shè)為如下的值。半導(dǎo)體基板的厚度D和η—型漂移層2的電阻率與實(shí)施方式5相同。P型基區(qū)3的厚度tl與實(shí)施方式5相同，η—型漂移層