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      用于有機(jī)電子器件中的具有新型六元環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物的制作方法

      文檔序號(hào):9925467閱讀:784來(lái)源:國(guó)知局
      用于有機(jī)電子器件中的具有新型六元環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明設(shè)及具有被電子給體、電子受體和空間要求嚴(yán)格的基團(tuán)取代的六元環(huán)結(jié)構(gòu) 的新型化合物。所述化合物適合用于有機(jī)電子器件,特別是有機(jī)電致發(fā)光器件中。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 有機(jī)電子器件,即包含主要由有機(jī)材料制成的層的電子器件,相比于基于無(wú)機(jī)材 料的常規(guī)電子器件提供了許多優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)電子器件允許例如良好的可加工性W及改進(jìn)的最 終性質(zhì)例如曉性和/或減小的重量。運(yùn)種器件經(jīng)常還W極低的能量消耗為特征。像運(yùn)樣的性 質(zhì)對(duì)于例如手持器件例如平板PC和智能電話非常有利。
      [0003] 有機(jī)電子器件的具體例子是有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)。術(shù)語(yǔ)"有機(jī)電致發(fā)光器件" 通常用于包含當(dāng)施加電流時(shí)發(fā)光的至少一種有機(jī)材料的電子器件。例如在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中公開了一般的OLEDW及它們的結(jié)構(gòu)。
      [0004] 雖然已經(jīng)取得進(jìn)展,但對(duì)于改進(jìn)有機(jī)電子器件、特別是有機(jī)電致發(fā)光器件的性質(zhì), 例如在壽命、效率和工作電壓方面改進(jìn),還有相當(dāng)大的興趣。在運(yùn)方面的重要因素是有機(jī)發(fā) 光層,特別是在其中包含的材料,W及有機(jī)電荷傳輸層。
      [0005] 因此,本發(fā)明的目的是找到具有改進(jìn)性質(zhì)的新型材料。另外,本發(fā)明的目的是進(jìn)一 步增加適合用于一般的有機(jī)電子器件、特別是有機(jī)電致發(fā)光器件的可用材料庫(kù)。此外,本發(fā) 明的特定目的是增加發(fā)射藍(lán)色光的材料庫(kù)。本發(fā)明的其它目的將從W下描述W及從實(shí)施例 變得清晰。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006] 本申請(qǐng)的發(fā)明人現(xiàn)已令人預(yù)料不到地發(fā)現(xiàn),通過本發(fā)明化合物W及通過本申請(qǐng)的 其它方面,可W單獨(dú)地或W任何組合達(dá)到上述目的。
      [0007] 本申請(qǐng)因此提供了通式(I)的化合物
      (I)
      [0009] 其中Qi和Q2彼此獨(dú)立地選自N、CR\ CRD和CRS; Zi和Z2彼此獨(dú)立地選自N、CRA和CRD; RA 是具有-M效應(yīng)的基團(tuán);R蠟具有+M效應(yīng)的基團(tuán);RS是空間要求嚴(yán)格的基團(tuán),條件是所述通式 (I)的化合物包含至少一個(gè)基團(tuán)CRA和至少一個(gè)基團(tuán)CRD。
      [0010] 本申請(qǐng)還提供了包含溶劑和所述化合物的制劑。
      [0011] 另外,本申請(qǐng)?zhí)峁┝酥圃祀娮悠骷姆椒ǎ龇椒ò╓下步驟
      [0012] (a)提供所述化合物或包含運(yùn)種化合物的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子;和
      [0013] (b)在支撐層上沉積所述化合物或所述低聚物、聚合物或樹枝狀大分子。
      [0014] 另外,本申請(qǐng)?zhí)峁┝税龌衔锏挠袡C(jī)電子器件,特別是有機(jī)電致發(fā)光器件。
      【具體實(shí)施方式】
      [0015] 定義
      [0016] 為了本申請(qǐng)的目的,術(shù)語(yǔ)"有機(jī)發(fā)光器件"和"有機(jī)電致發(fā)光器件"被可交換地使 用。
      [0017] 為了本申請(qǐng)的目的,術(shù)語(yǔ)"基邸'和"取代堂'被同義使用。
      [001引為了本申請(qǐng)的目的,術(shù)語(yǔ)"取代的"意味著表示如在本申請(qǐng)中定義的取代基R2。
      [0019] 在本申請(qǐng)的式中,雙鍵可W用于表示芳族或雜芳族環(huán)系中的芳族鍵。
      [0020] 在本申請(qǐng)中表示為"M效應(yīng)"的中介效應(yīng)被認(rèn)為是取代基或基團(tuán)由于其P-或JT-軌道 與分子實(shí)體其余部分的P-或軌道重疊所致的結(jié)果。從而引入或擴(kuò)大了離域,電子電荷可 W流入取代基或從取代基流出。參見國(guó)際純粹與應(yīng)用化學(xué)聯(lián)合會(huì)(International Union of Pure and Applied Chemi s try),化學(xué)技術(shù)概論(Compend ium of Chemical Technology),金皮書,2.3.2版,2012-08-19。具有+M效應(yīng)r正M效應(yīng))的基團(tuán)向中介體系給 予電子密度。具有-M效應(yīng)("負(fù)M效應(yīng))的基團(tuán)從中介體系接受電子密度。
      [0021] 在本申請(qǐng)中,Ri在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自H,D,F(xiàn),Cl,Br,I,B(0R2)2,〇ro,C(=0)R 2, CR2 = C(R2)2,CN,C(=0)0R2,C(=0)N(R2)2,Si(R2)3,N(R2)2,N02,P(=0)(R2)2,0S02R2,0R2,S (=0)R2,S(=0)2R2,0H,SH,具有I至20個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)或者具 有3至20個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)或者具有2至20個(gè)C原子的締 基或者烘基基團(tuán),其中運(yùn)些基團(tuán)可W被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代,并且其中在運(yùn)些基團(tuán)中的 一個(gè)或多個(gè) C 此基團(tuán)可 W 被-R2c = CR2-、-C^C-、Si(R2)2、C = 0、C = S、C = NR2、-C(=0)0-、-C (=o)nr2-、nr2、p(=o)(r2)、-o-、-s-、so或S化代替,并且其中在運(yùn)些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)H 原子可W被D、F、Cl、B;r、I、CN或N02代替,或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán) 系,所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代,或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳氧基或雜芳氧 基基團(tuán),所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代,或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳烷基或雜 芳烷基基團(tuán),所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代,其中兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)R2可W彼此連接 并形成脂族或芳族或雜芳族環(huán)。
      [0022] 在本申請(qǐng)中,R2在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自H,D,F(xiàn),具有1至20個(gè)C原子的烷基,具有1 至20個(gè)芳族碳原子的芳族基團(tuán)和具有1至20個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族基團(tuán),其中所述芳族基 團(tuán)和雜芳族基團(tuán)可W被具有1至20個(gè)碳原子的烷基取代。對(duì)于R 2,優(yōu)選的示例性的具有1至 20個(gè)C原子的烷基可W選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正下基、異下基、仲下基、叔下基、2-甲基下基、正戊基、仲戊基、環(huán)戊基、新戊基、正己基、環(huán)己基、新己基、正庚基、環(huán)庚基、正辛 基、環(huán)辛基、和2-乙基己基。對(duì)于R 2,優(yōu)選的示例性的具有1至20個(gè)芳族碳原子的芳族基團(tuán)和 具有1至20個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族基團(tuán)可W選自苯、糞、蔥、苯并蔥、菲、苯并菲、巧、疆、巧、 巧蔥、并四苯、并五苯、苯并巧、聯(lián)苯、偶苯、=聯(lián)苯、=聚苯、四聯(lián)苯、巧、螺二巧、二氨菲、二 氨巧、四氨巧、順式或反式巧并巧、=聚巧、異=聚巧、螺=聚巧、螺異=聚巧、巧喃、苯并巧 喃、異苯并巧喃、二苯并巧喃、嚷吩、苯并嚷吩、異苯并嚷吩、二苯并嚷吩、化咯、嗎I噪、異嗎I 噪、巧挫、嗎隙并巧挫、巧并巧挫、化晚、哇嘟、異哇嘟、日丫晚、菲晚、苯并-5,6-哇嘟、苯并-6, 7-哇嘟、苯并-7,8-哇嘟、吩嚷嗦、吩Il嗦、化挫、嗎I挫、咪挫、苯并咪挫、糞并咪挫、菲并咪挫、 化晚并咪挫、化嗦并咪挫、哇喔嘟并咪挫、Ii挫、苯并離挫、糞并Pi挫、蔥并Ii挫、菲并曝:挫、 異I惡:挫、1,2-嚷挫、1,3-嚷挫、苯并嚷挫、化嗦、苯并化嗦、喀晚、苯并喀晚、哇喔嘟、1,5-二氮 雜蔥、2,7-二氮雜巧、2,3-二氮雜巧、1,6-二氮雜巧、1,8-二氮雜巧、4,5-二氮雜巧、4,5,9, 10-四氮雜巧、化嗦、吩嗦、吩Ig嗦、吩嚷嗦、巧紅環(huán)、糞晚、氮雜巧挫、苯并巧嘟、菲咯嘟、1,2, 3-S挫、1,2,4-S挫、苯并S挫、1,2,3-罐二挫、1,2,4-g二挫、1,2,5-囉二挫、1,3,4-離二 挫、1,2,3-嚷二挫、1,2,4-嚷二挫、1,2,5-嚷二挫、1,3,4-嚷二挫、1,3,5-S 嗦、1,2,4-S 嗦、 1,2,3-立嗦、四挫、1,2,4,5-四嗦、1,2,3,4-四嗦、1,2,3,5-四嗦、嚷嶺、蝶晚、嗎|嗦和苯并嚷 二挫W及它們的烷基取代衍生物,所述烷基具有1至20個(gè)C原子。
      [0023] 在本申請(qǐng)中,R3在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自F,具有1至20個(gè)C原子的直鏈烷基或燒氧 基基團(tuán),具有3至20個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán),所述基團(tuán)中的每個(gè)可W被 一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代,其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的C出基團(tuán)可W被R2C = CR2、C = C、Si(R2)2、C = 0、NR2、0、S或CONR2代替,并且其中一個(gè)或多個(gè)H原子可W被D或F代替,或者具有5至24個(gè)芳 族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系,所述環(huán)系中的每個(gè)可W被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代,或者具 有5至24個(gè)芳族環(huán)原子的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán),所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代,或 者具有5至24個(gè)芳族環(huán)原子的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán),所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取 代,其中與同一碳原子鍵合的兩個(gè)R2可W形成脂族或芳族環(huán)系并因此形成螺環(huán)系;或者R 3可 與相鄰基團(tuán)Ri或R2-起形成脂族環(huán)系。
      [0024] 為了本發(fā)明的目的,直鏈、支鏈或環(huán)狀的烷基、締基和烘基基團(tuán)可W優(yōu)選選自甲 基、乙基、正丙基、異丙基、正下基、異下基、仲下基、叔下基、2-甲基下基、正戊基、仲戊基、環(huán) 戊基、新戊基、正己基、環(huán)己基、新己基、正庚基、環(huán)庚基、正辛基、環(huán)辛基、2-乙基己基、=氣 甲基、五氣乙基、氣乙基、乙締基、丙締基、下締基、戊締基、環(huán)戊締基、己締基、環(huán)己 締基、庚締基、環(huán)庚締基、辛締基、環(huán)辛締基、乙烘基、丙烘基、下烘基、戊烘基、己烘基、辛烘 基、和各自的取代衍生物,其中它們可W被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代并且其中在運(yùn)些基團(tuán)中 的一個(gè)或多個(gè) C 出基團(tuán)可 W 被-R ^ = CR2-、-C^C-、Si(R2)2、C = 0、C = S、C = NR2、-C(=0)0-、-C( = 0)NR2-、NR2、P( =0) (R2)、-〇-、-5-、50或5〇2代替,并且其中在運(yùn)些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè) H原子可W被D、F、Cl、Br、I、CN或N02代替。
      [0025] 為了本發(fā)明的目的,直鏈或支鏈的烷氧基和硫代烷基、締基和烘基基團(tuán)可W優(yōu)選 選自甲氧基、=氣甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正下氧基、異下氧基、仲下氧基、叔 下氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基下氧基、正己氧基、環(huán)己氧基、正庚氧基、環(huán)庚氧基、正 辛氧基、環(huán)辛氧基、2-乙基己氧基、五氣乙氧基、氣乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫 基、異丙硫基、正下硫基、異下硫基、仲下硫基、叔下硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、環(huán) 己硫基、正庚硫基、環(huán)庚硫基、正辛硫基、環(huán)辛硫基、2-乙基己硫基、=氣甲硫基、五氣乙硫 基、2,2,2-=氣乙硫基、乙締硫基、丙締硫基、下締硫基、戊締硫基、環(huán)戊締硫基、己締硫基、 環(huán)己締硫基、庚締硫基、環(huán)庚締硫基、辛締硫基、環(huán)辛締硫基、乙烘硫基、丙烘硫基、下烘硫 基、戊烘硫基、己烘硫基、庚烘硫基、辛烘硫基和各自的取代衍生物,其中它們可W被一個(gè)或 多個(gè)基團(tuán)R 2取代并且其中在運(yùn)些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH盛團(tuán)可W被-R化=CR2-、-C = C-、 Si(R2)2、C = 0、C = S、C = NR2、-C(=0)0-、-C(=0)NR2-、NR2、P(=0)(R2)、-0-、-S-、S0或S02代 替,并且其中在運(yùn)些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)H原子可W被D、F、Cl、Br、I、CN或N02代替。
      [0026] 為了本發(fā)明的目的,芳族環(huán)系優(yōu)選具有6至60個(gè)芳族環(huán)原子,最優(yōu)選6至30個(gè)芳族 環(huán)原子。為了本發(fā)明的目的,雜芳族環(huán)系優(yōu)選具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子,最優(yōu)選5至30個(gè)芳族 環(huán)原子,其中的至少一個(gè)是雜原子。合適的雜原子可W選自N、0和S。如在本文中使用的術(shù)語(yǔ) "芳族環(huán)系"和"雜芳族環(huán)系"還可W表示其中幾個(gè)芳基或雜芳基基團(tuán)通
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