本發(fā)明涉及電路板制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種IPM模塊基板的制作方法。

背景技術(shù)：

互調(diào)干擾是由傳輸信道中非線性電路產(chǎn)生的，當(dāng)兩個(gè)或多個(gè)不同頻率的信號(hào)輸入到非線性電路時(shí)，由于非線性器件的作用，會(huì)產(chǎn)生很多諧波和組合頻率分量，其中與所需要的信號(hào)頻率ω0相接近的組合頻率分量會(huì)順利通過(guò)接收機(jī)而形成干擾。

因此，在高頻電路模塊運(yùn)用過(guò)程中傳輸信道中非線性電路產(chǎn)生的互調(diào)干擾越小，電路信號(hào)的傳輸性能就越好。對(duì)此，如何制備一種具有低互調(diào)指標(biāo)的高頻電路基板，提高微波高頻電路信號(hào)傳輸?shù)膬?yōu)異性能，已經(jīng)迫在眉睫，刻不容緩。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為克服上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種IPM模塊基板的制作方法，其特征在于步驟如下：

（1）制作IPM模塊絕緣介質(zhì)材料層，根據(jù)介電常數(shù)要求選擇配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按一定比例結(jié)合介質(zhì)層厚度要求進(jìn)行混合，然后將介質(zhì)材料置于模具中經(jīng)850-1000℃高溫壓合10分鐘，形成IPM模塊絕緣介質(zhì)層；

（2）制作低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片，選取玻璃纖維布放入40-50%氧化鉛、15-18%氧化硼、15-20%氧化硅分散液內(nèi)經(jīng)浸膠機(jī)進(jìn)行預(yù)浸漬，然后在280-350℃高溫?zé)Y(jié)后制得低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片；

（3）制作IPM模塊基板，選取表面粗糙度小于0.1微米，厚度為0.15-0.55毫米、熱膨脹系數(shù)為17的PPM/℃的銅箔，將銅箔分別設(shè)置在絕緣介質(zhì)層的上方和下方，中間用低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片間隔并粘結(jié)，最后經(jīng)350℃高溫環(huán)境帶壓加工壓制成型；

（4）成型IPM模塊基板，通過(guò)激光刻板機(jī)進(jìn)行雕刻，激光刻板機(jī)波長(zhǎng)為1088nm,頻率為20-80KHz，激光光斑為20um，精度為2um,從而獲得成型IPM模塊基板。

優(yōu)選地，所述步驟（1）中AlN粉和TiO2粉的比例為2：8。

優(yōu)選地，所述步驟（1）中混合采用球磨機(jī)球磨，時(shí)間20分鐘。

優(yōu)選地，所述步驟（1）中介質(zhì)材料置于模具中的優(yōu)選溫度為920℃。

優(yōu)選地，所述步驟（2）中玻璃纖維布的厚度小于12.5微米。

優(yōu)選地，所述步驟（2）中高溫?zé)Y(jié)時(shí)間優(yōu)選為320℃。

優(yōu)選地，所述步驟（3）中銅箔的優(yōu)選厚底為0.35毫米，粗糙度為0.1微米。

優(yōu)選地，所述步驟（4）中激光刻板機(jī)頻率為50KHz。

本發(fā)明的有益效果是：使用PTFE粉和TiO2粉混合，經(jīng)球磨機(jī)球磨后制作的IPM模塊絕緣介質(zhì)材料層，具有互調(diào)干擾小，信號(hào)傳輸快的優(yōu)點(diǎn)，且具有優(yōu)良的機(jī)械強(qiáng)度、耐應(yīng)力松弛、耐蠕變性、耐熱性、耐水性、耐水蒸汽性、尺寸穩(wěn)定性；采用表面粗糙度小于0.1微米的銅箔，則可以有效降低信號(hào)傳輸過(guò)程的阻力，減少諧波和組合頻率分量的產(chǎn)生量，制得的IPM模塊基板通過(guò)電流均勻，質(zhì)量可靠。

具體實(shí)施方式

一種IPM模塊基板的制作方法，其特征在于步驟如下：

（1）制作IPM模塊絕緣介質(zhì)材料層，根據(jù)介電常數(shù)要求選擇配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按一定比例結(jié)合介質(zhì)層厚度要求進(jìn)行混合，然后將介質(zhì)材料置于模具中經(jīng)850-1000℃高溫壓合10分鐘，形成IPM模塊絕緣介質(zhì)層；

（2）制作低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片，選取玻璃纖維布放入40-50%氧化鉛、15-18%氧化硼、15-20%氧化硅分散液內(nèi)經(jīng)浸膠機(jī)進(jìn)行預(yù)浸漬，然后在280-350℃高溫?zé)Y(jié)后制得低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片；

（3）制作IPM模塊基板，選取表面粗糙度小于0.1微米，厚度為0.15-0.55毫米、熱膨脹系數(shù)為17的PPM/℃的銅箔，將銅箔分別設(shè)置在絕緣介質(zhì)層的上方和下方，中間用低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片間隔并粘結(jié)，最后經(jīng)350℃高溫環(huán)境帶壓加工壓制成型；

（4）成型IPM模塊基板，通過(guò)激光刻板機(jī)進(jìn)行雕刻，激光刻板機(jī)波長(zhǎng)為1088nm,頻率為20-80KHz，激光光斑為20um，精度為2um,從而獲得成型IPM模塊基板。

實(shí)施例1

一種IPM模塊基板的制作方法，其特征在于步驟如下：

（1）制作IPM模塊絕緣介質(zhì)材料層，根據(jù)介電常數(shù)要求選擇配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按2:8的比例進(jìn)行采用球磨機(jī)球磨混合，時(shí)間20分鐘，然后將介質(zhì)材料置于模具中經(jīng)850℃高溫壓合10分鐘，形成IPM模塊絕緣介質(zhì)層；

（2）制作低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片，選取厚度小于12.5微米的玻璃纖維布放入400%氧化鉛、15%氧化硼、15%氧化硅分散液內(nèi)經(jīng)浸膠機(jī)進(jìn)行預(yù)浸漬，然后在280℃高溫?zé)Y(jié)后制得低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片；

（3）制作IPM模塊基板，選取表面粗糙度小于0.1微米，厚度為0.15毫米、熱膨脹系數(shù)為17的PPM/℃的銅箔，將銅箔分別設(shè)置在絕緣介質(zhì)層的上方和下方，中間用低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片間隔并粘結(jié)，最后經(jīng)350℃高溫環(huán)境帶壓加工壓制成型；

（4）成型IPM模塊基板，通過(guò)激光刻板機(jī)進(jìn)行雕刻，激光刻板機(jī)波長(zhǎng)為1088nm,頻率為20KHz，激光光斑為20um，精度為2um,從而獲得成型IPM模塊基板。

實(shí)施例2

一種IPM模塊基板的制作方法，其特征在于步驟如下：

（1）制作IPM模塊絕緣介質(zhì)材料層，根據(jù)介電常數(shù)要求選擇配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按2:8的比例進(jìn)行采用球磨機(jī)球磨混合，時(shí)間20分鐘，然后將介質(zhì)材料置于模具中經(jīng)920℃高溫壓合10分鐘，形成IPM模塊絕緣介質(zhì)層；

（2）制作低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片，選取厚度小于12.5微米的玻璃纖維布放入40-50%氧化鉛、15-18%氧化硼、15-20%氧化硅分散液內(nèi)經(jīng)浸膠機(jī)進(jìn)行預(yù)浸漬，然后在320℃高溫?zé)Y(jié)后制得低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片；

（3）制作IPM模塊基板，選取表面粗糙度小于0.1微米，厚度為0.35毫米、熱膨脹系數(shù)為17的PPM/℃的銅箔，將銅箔分別設(shè)置在絕緣介質(zhì)層的上方和下方，中間用低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片間隔并粘結(jié)，最后經(jīng)350℃高溫環(huán)境帶壓加工壓制成型；

（4）成型IPM模塊基板，通過(guò)激光刻板機(jī)進(jìn)行雕刻，激光刻板機(jī)波長(zhǎng)為1088nm,頻率為50KHz，激光光斑為20um，精度為2um,從而獲得成型IPM模塊基板。

實(shí)施例3

一種IPM模塊基板的制作方法，其特征在于步驟如下：

（1）制作IPM模塊絕緣介質(zhì)材料層，根據(jù)介電常數(shù)要求選擇配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按2:8的比例進(jìn)行采用球磨機(jī)球磨混合，時(shí)間20分鐘，然后將介質(zhì)材料置于模具中經(jīng)1000℃高溫壓合10分鐘，形成IPM模塊絕緣介質(zhì)層；

（2）制作低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片，選取厚度小于12.5微米的玻璃纖維布放入50%氧化鉛、18%氧化硼、20%氧化硅分散液內(nèi)經(jīng)浸膠機(jī)進(jìn)行預(yù)浸漬，然后在350℃高溫?zé)Y(jié)后制得低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片；

（3）制作IPM模塊基板，選取表面粗糙度小于0.1微米，厚度為0.55毫米、熱膨脹系數(shù)為17的PPM/℃的銅箔，將銅箔分別設(shè)置在絕緣介質(zhì)層的上方和下方，中間用低互調(diào)玻璃布浸膠粘結(jié)片間隔并粘結(jié)，最后經(jīng)350℃高溫環(huán)境帶壓加工壓制成型；

（4）成型IPM模塊基板，通過(guò)激光刻板機(jī)進(jìn)行雕刻，激光刻板機(jī)波長(zhǎng)為1088nm,頻率為80KHz，激光光斑為20um，精度為2um,從而獲得成型IPM模塊基板。

盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。