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本發(fā)明屬于金納米材料制備，具體涉及一種金納米圓環(huán)陣列的制備方法。、納米尺度的貴金屬(金、銀、鉑等)顆粒由于具有很強(qiáng)的電場(chǎng)-磁場(chǎng)耦合效應(yīng)，使得它在微納光柵、磁存儲(chǔ)、生物傳感器和光電催化等方面具有十分廣泛的應(yīng)用。這種電場(chǎng)-磁場(chǎng)耦合效應(yīng)是由于金屬納米粒子與入射光之間發(fā)生的局域等離子體共振(loc...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種鍵合結(jié)構(gòu)及其制備方法。、如圖中所示，目前獲得具有真空度空腔的方法一般為：在兩個(gè)鍵合片中的其中一者形成空腔后與另一者鍵合，以形成具有真空度的空腔。、然而對(duì)于一些特殊產(chǎn)品，例如慣性測(cè)試單元(imu)，需要在鍵合后，在不同空腔內(nèi)形成不同的真空度，然而，通常鍵合機(jī)...

本公開屬于微機(jī)械加工，具體涉及一種異型腔體制備方法和傳感器制備方法。、在微機(jī)械加工技術(shù)(micro-electro-mechanical?system，mems)領(lǐng)域，通常會(huì)使用到異型腔體，即在腔體內(nèi)具有高度不同的島狀結(jié)構(gòu)或者在腔體底部形成不同厚度的膜片，例如在壓力傳感器中，腔體中高度不同...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種雙向制動(dòng)裝置及其制造方法。、高分辨率攝像頭已經(jīng)成為以智能手機(jī)為主導(dǎo)的各種移動(dòng)電子設(shè)備以及安防設(shè)備、車載系統(tǒng)等移動(dòng)設(shè)備的標(biāo)配，而隨著應(yīng)用對(duì)成像分辨率及其成像性能要求的不斷提升，對(duì)攝像頭模組的技術(shù)要求越來(lái)越高。、隨著分辨率和對(duì)圖像質(zhì)量要求的提升，對(duì)攝像頭模組具...

本發(fā)明涉及硅基刻蝕，具體涉及一種硅基固態(tài)納米孔刻蝕方法。、利用分子穿過(guò)施加有偏置電壓的納米孔時(shí)產(chǎn)生的阻塞電流，可以檢測(cè)穿孔分子的大小、類型和幾何構(gòu)型等信息。常用的納米孔分子傳感器主要分為兩大類：生物納米孔和固態(tài)納米孔，相對(duì)于從自然界獲取的生物納米孔，固態(tài)納米孔具有機(jī)械性能好、可適應(yīng)環(huán)境變化...

本發(fā)明屬于集成光子器件或者集成電子器件，尤其涉及用于集成光子/電子器件的襯底表面刻蝕方法與刻蝕設(shè)備。、近年來(lái)隨著大數(shù)據(jù)、人工智能、高速網(wǎng)絡(luò)、量子信息等信息技術(shù)的高速發(fā)展，對(duì)具有低傳輸損耗、高密度集成、低調(diào)制功耗等功能的集成光子器件或者集成電子器件(記作集成光子/電子器件)產(chǎn)生迫切需求。發(fā)展...

本發(fā)明涉及封裝，具體涉及低厚度封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。、微機(jī)電技術(shù)(micro-electro-mechanical?systems，簡(jiǎn)稱mems)，是將微電子技術(shù)與機(jī)械工程融合到一起的一種工藝技術(shù)，它的操作范圍在微米范圍內(nèi)。專用集成電路(application?specific?integ...

本發(fā)明涉及一種流量傳感器封裝方法，屬于微機(jī)電傳感器。、mems(micro?electro?mechanical?systems，微電子機(jī)械系統(tǒng))流量傳感器是基于熱交換原理的流體測(cè)量方法。因mems流量傳感器具有體積小、功耗低、量程比寬、靈敏度高、超低的啟動(dòng)流量等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，在工業(yè)、醫(yī)療、半...

本發(fā)明屬于導(dǎo)電高分子復(fù)合材料，具體涉及一種具有雙重微結(jié)構(gòu)的柔性壓力傳感器及其制備方法。、柔性壓力傳感器在工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療保健、航空航天等許多領(lǐng)域中無(wú)處不在，在人類生活中發(fā)揮著愈發(fā)重要的作用。因此對(duì)柔性壓力傳感器性能的要求也逐漸嚴(yán)格，柔性應(yīng)變傳感器被期望具有高靈敏度以檢測(cè)類似脈搏、肌肉運(yùn)動(dòng)等...

本申請(qǐng)是有關(guān)半導(dǎo)體領(lǐng)域，詳細(xì)來(lái)說(shuō)，是有關(guān)于一種制造集成電路裝置的方法。、傳統(tǒng)包括微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)果的集成電路裝置的體積較大，導(dǎo)致芯片與基板之間的信號(hào)傳輸路徑較遠(yuǎn)，因此信號(hào)傳遞的性能。因此，需要設(shè)計(jì)一種集成電路裝置的結(jié)構(gòu)能夠包括微機(jī)電結(jié)構(gòu)系統(tǒng)和芯片的同時(shí)，還能縮短芯片與基板之間的信號(hào)傳輸路徑。技...

本發(fā)明涉及一種硅基空心微針陣列的制造方法，屬于微納制造工藝領(lǐng)域。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)技術(shù)使儀器和設(shè)備的小型化、集成化和智能化成為可能。它在汽車、生物醫(yī)學(xué)、航空航天和通信等領(lǐng)域具有許多技術(shù)進(jìn)步和廣泛的應(yīng)用前景。微針是mems技術(shù)的一個(gè)成功應(yīng)用，其小巧、精確、微創(chuàng)、高效且方便，可用于經(jīng)皮藥...

本發(fā)明涉及刻蝕工藝，具體而言，涉及一種通孔刻蝕方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(micro?electro?mechanical?systems，mems)制造過(guò)程的精細(xì)準(zhǔn)確程度對(duì)mems傳感器的性能至關(guān)重要。這就要求從mems設(shè)計(jì)到工藝制造的環(huán)節(jié)考慮到每一個(gè)細(xì)節(jié)，一個(gè)好的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)可能會(huì)給工藝制造的工程...

本申請(qǐng)涉及mems，具體而言，涉及一種集成溫度檢測(cè)的壓電式mems加速度計(jì)及制備方法。、mems加速度計(jì)對(duì)溫度變化的高度敏感性是一個(gè)重要的技術(shù)挑戰(zhàn)，這種敏感性源于其內(nèi)部微機(jī)械結(jié)構(gòu)和電子元件的熱學(xué)特性。當(dāng)環(huán)境溫度發(fā)生變化時(shí)，mems加速度計(jì)的材料會(huì)發(fā)生熱脹冷縮，壓電材料的壓電系數(shù)等特性隨溫度...

、壓電微機(jī)械超聲換能器(pmut)的制造可以與cmos半導(dǎo)體工藝集成。pmut可以通過(guò)mems處理來(lái)制造，并且包括處于壓電電容器配置的壓電層，該壓電電容器配置包括在壓電層的一側(cè)上的一個(gè)電極和在壓電層的另一側(cè)上的另一電極。例如，pmut可以被配置為發(fā)送器(超聲發(fā)送器)或接收器(超聲接收器)。...

本技術(shù)涉及芯片封裝領(lǐng)域，特別涉及一種傳感器封裝結(jié)構(gòu)。、混合微電路中引線鍵合是實(shí)現(xiàn)電路互聯(lián)的最主要方式，％以上的微電路均采用這種互聯(lián)方式。常用的鍵合方式包括球焊鍵合和楔焊鍵合，球焊鍵合因其效率高和弧形可控，多用于數(shù)字微電路中，而楔焊鍵合因其焊點(diǎn)小、可實(shí)現(xiàn)小跨度和低弧度而廣泛應(yīng)用于微波電路互聯(lián)...

本發(fā)明涉及材料與生物學(xué)領(lǐng)域，具體涉及一種仿生納微結(jié)構(gòu)的制備方法及仿生納微結(jié)構(gòu)在dna合成中的應(yīng)用。、年s.?john等發(fā)現(xiàn)具有不同介電常數(shù)的材料，其空間周期性排列的結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生光子禁帶帶隙，從而控制光的行為，他們提出了光子晶體的概念。利用光子晶體或由光子晶體衍生出的反蛋白石結(jié)構(gòu)可以調(diào)控光的...

本技術(shù)涉及一種封裝管殼，特別是涉及一種mems傳感器低應(yīng)力陶瓷封裝管殼。、目前，現(xiàn)有傳感器的外殼大多采用螺釘進(jìn)行連接，拆裝時(shí)需要采用相應(yīng)的工具進(jìn)行工作，浪費(fèi)時(shí)間，十分的不便，且螺釘容易滑絲，導(dǎo)致連接處分離，會(huì)對(duì)傳感器內(nèi)部的電子元件造成損傷。、現(xiàn)有技術(shù)中，公開號(hào)為cnu的專利文件中，提出一種...

本技術(shù)涉及mems芯片生產(chǎn)相關(guān)，尤其涉及一種mems芯片用工裝。、mems中文名稱是微機(jī)電系統(tǒng)，mems芯片可以用于測(cè)量、監(jiān)測(cè)和控制各種物理量，如溫度、壓力、濕度、加速度等。mems芯片在汽車、手機(jī)、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用，例如汽車中的氣囊系統(tǒng)、手機(jī)中的陀螺儀和加速度計(jì)等。由于其體積小...

本技術(shù)涉及芯片封裝領(lǐng)域，特別涉及一種芯片貼裝結(jié)構(gòu)。、加速度計(jì)傳感器是一種測(cè)量物體加速度的裝置，它能夠感知并轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出物體在直線或旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)中的加速度變化。加速度傳感器廣泛應(yīng)用在消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)自動(dòng)化等諸多領(lǐng)域。電容式加速度傳感器是一種力平衡式mems加速度傳感器，在測(cè)量加速度時(shí)是通...

本發(fā)明屬于mems器件工藝制造領(lǐng)域，涉及一種去除mems器件上顆粒及異物的方法。、作為現(xiàn)代傳感器重要的制造技術(shù)，mems工藝深刻地影響了現(xiàn)今傳感器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。mems芯片制造是整個(gè)mems產(chǎn)業(yè)最重要的環(huán)節(jié)之一，mems芯片制造采用光刻、干法刻蝕、濕法刻蝕、薄膜沉積、氧化、擴(kuò)散、注入、濺射、...