二柵極金屬圖形的部分以及覆蓋所述第二柵極圖形遠離所述第一柵極金屬圖形的部分；
[0082]所述第一柵極金屬圖形未被柵極絕緣圖形覆蓋的部分、所述第二柵極金屬圖形未被所述柵極絕緣圖形覆蓋的部分以及所述柵極絕緣圖形共同圍成所述過孔；
[0083]形成有所述過孔的襯底基板上形成有所述跳線膜層，所述跳線膜層使所述第一柵極金屬圖形和所述第二柵極金屬圖形電連接。
[0084]可選的，所述第一導電圖形為第一源漏金屬圖形，所述第二導電圖形為第二源漏金屬圖形，
[0085]所述襯底基板上形成有所述第一源漏金屬圖形和所述第二源漏金屬圖形；
[0086]形成有所述第一源漏金屬圖形和所述第二源漏金屬圖形的襯底基板上形成有鈍化層圖形，所述鈍化層圖形覆蓋所述第一源漏金屬圖形遠離所述第二源漏金屬圖形的部分以及覆蓋所述第二源漏金屬圖形遠離所述第一源漏金屬圖形的部分；
[0087]所述第一源漏金屬圖形未被所述鈍化層圖形覆蓋的部分、所述第二源漏金屬圖形未被所述鈍化層圖形覆蓋的部分以及所述鈍化層圖形共同圍成所述過孔；
[0088]形成有所述過孔的襯底基板上形成有所述跳線膜層，所述跳線膜層使所述第一源漏金屬圖形和所述第二源漏金屬圖形電連接。
[0089]第三方面，提供一種顯示面板，包括第二方面任一所述的陣列基板。
[0090]第四方面，提供一種顯示裝置，包括第三方面所述的顯示面板。
[0091]本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置，能夠在襯底基板上形成第一導電圖形和第二導電圖形，在形成有第一導電圖形和第二導電圖形的襯底基板上形成側(cè)壁半開放的過孔，在形成有過孔的襯底基板上形成跳線膜層，從而采用跳線膜層連接不同層或同一層的導電圖形，相較于相關技術，可以保證跳線膜層完全連接，信號正常傳輸，因此，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量。
[0092]應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本發(fā)明。
【附圖說明】
[0093]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0094]圖1是相關技術中的陣列基板的結構示意圖；
[0095]圖2-1是圖1所示的陣列基板的A-A’部位的剖面圖；
[0096]圖2-2是圖2-1所不的陣列基板的俯視圖；
[0097]圖3是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程圖；
[0098]圖4-1是本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；
[0099]圖4-2是圖4-1對應的陣列基板的結構示意圖；
[0100]圖5-1是本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；
[0101]圖5-2是本發(fā)明實施例提供的形成柵極金屬圖形的結構示意圖；
[0102]圖5-3是本發(fā)明實施例提供的形成柵極絕緣層的結構示意圖；
[0103]圖5-4是本發(fā)明實施例提供的形成柵極絕緣圖形的結構示意圖；
[0104]圖5-5是本發(fā)明實施例提供的形成源漏極金屬圖形的結構示意圖；
[0105]圖5-6是本發(fā)明實施例提供的形成鈍化層的結構示意圖；
[0106]圖5-7是本發(fā)明實施例提供的形成鈍化層圖形的結構示意圖；
[0107]圖5-8是本發(fā)明實施例提供的形成跳線膜層的結構示意圖；
[0108]圖5-9是本發(fā)明實施例提供的過孔的俯視圖；
[0109]圖5-10是圖5-9所示的陣列基板C-C’部位的剖面圖；
[0110]圖5-11是圖5-9所示的陣列基板D-D’部位的剖面圖；
[0111]圖6-1是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的制造方法的流程圖；
[0112]圖6-2是圖6-1對應的陣列基板的結構示意圖；
[0113]圖6-3是圖6-1對應的又一種陣列基板的結構示意圖；
[0114]圖7-1是本發(fā)明實施例提供的又一種陣列基板的制造方法的流程圖；
[0115]圖7-2是本發(fā)明實施例提供的形成柵極金屬薄膜的結構示意圖；
[0116]圖7-3是本發(fā)明實施例提供的形成第一柵極金屬圖形和第二柵極金屬圖形的結構示意圖；
[0117]圖7-4是本發(fā)明實施例提供的又一種形成柵極絕緣層的結構示意圖；
[0118]圖7-5是本發(fā)明實施例提供的又一種形成柵極絕緣圖形的結構示意圖；
[0119]圖7-6是本發(fā)明實施例提供的又一種形成跳線膜層的結構示意圖；
[0120]圖8-1是本發(fā)明實施例提供的再一種陣列基板的制造方法的流程圖；
[0121]圖8-2是本發(fā)明實施例提供的形成源漏金屬薄膜的結構示意圖；
[0122]圖8-3是本發(fā)明實施例提供的形成第一源漏金屬圖形和第二源漏金屬圖形的結構示意圖；
[0123]圖8-4是本發(fā)明實施例提供的形成鈍化層的結構示意圖；
[0124]圖8-5是本發(fā)明實施例提供的形成鈍化層圖形的結構示意圖；
[0125]圖8-6是本發(fā)明實施例提供的形成跳線膜層的結構示意圖；
[0126]圖8-7是圖8-1對應的又一種陣列基板的結構示意圖；
[0127]圖9是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖。
[0128]通過上述附圖，已示出本發(fā)明明確的實施例，后文中將有更詳細的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本發(fā)明構思的范圍，而是通過參考特定實施例為本領域技術人員說明本發(fā)明的概念。
【具體實施方式】
[0129]為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。
[0130]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制造方法，如圖3所示，該方法包括:
[0131]步驟301、在襯底基板上形成第一導電圖形和第二導電圖形。
[0132]步驟302、在形成有第一導電圖形和第二導電圖形的襯底基板上形成過孔，該過孔的側(cè)壁半開放。
[0133]步驟303、在形成有過孔的襯底基板上形成跳線膜層。
[0134]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法，能夠在襯底基板上形成第一導電圖形和第二導電圖形，在形成有第一導電圖形和第二導電圖形的襯底基板上形成側(cè)壁半開放的過孔，在形成有過孔的襯底基板上形成跳線膜層，從而采用跳線膜層連接不同層或同一層的導電圖形，相較于相關技術，可以保證跳線膜層完全連接，信號正常傳輸，因此，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量。
[0135]進一步的，過孔為條狀孔，該條狀孔的長度方向或?qū)挾确较虻膫?cè)壁開放。該條狀孔的側(cè)壁開放的方向上尺寸大于或等于15微米，且小于或等于20微米。
[0136]需要說明的是，第一導電圖形和第二導電圖形可以位于襯底基板上的不同層，也可以位于襯底基板上的同一層。也就是說，本發(fā)明實施例形成的過孔可以用于連接襯底基板上不同層的導電圖形，如連接源漏極金屬圖形和柵極金屬圖形，或者連接源漏金屬圖形和像素電極圖形，等等；也可以用于連接襯底基板上同一層的導電圖形，如連接柵極金屬圖形，或者連接源漏金屬圖形等。跳線膜層也可以為金屬圖形或金屬氧化物圖形等任何可以導電的材質(zhì)，如Cu、Al及其合金或者ITO等，這些不做限定。
[0137]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制造方法，如圖4-1所示，該方法具體包括:
[0138]步驟401、在襯底基板上形成第一導電圖形。
[0139]步驟402、在形成有第一導電圖形的襯底基板上形成第一絕緣層圖形。
[0140]步驟403、在形成有第一絕緣層圖形的襯底基板上形成第二導電圖形，第二導電圖形與第一導電圖形位于襯底基板上的不同層。
[0141]步驟404、在形成有第二導電圖形的襯底基板上形成第二絕緣層圖形。第一導電圖形、第二導電圖形、第一絕緣層圖形和第二絕緣層圖形圍成過孔，該過孔的側(cè)壁半開放。
[0142]步驟405、在形成有過孔的襯底基板上形成跳線膜層，使得第一導電圖形和第二導電圖形電連接。
[0143]圖4-2示出了該陣列基板的結構示意圖，如圖4-2所示，在襯底基板001上形成第一導電圖形2001 ;在形成有第一導電圖形2001的襯底基板001上形成第一絕緣層圖形2002 ;在形成有第一絕緣層圖形2002的襯底基板001上形成第二導電圖形2003，第二導電圖形2003與第一導電圖形2001位于襯底基板001上的不同層，即第二導電圖形2003與第一導電圖形2001在襯底基板001上的位置位于襯底基板001上的不同層；在形成有第二導電圖形2003的襯底基板001上形成第二絕緣層圖形2004。第一導電圖形2001、第二導電圖形2003、第一絕緣層圖形2002和第二絕緣層圖形2004圍成過孔008，過孔008的側(cè)壁半開放；在形成有過孔008的襯底基板001上形成跳線膜層009，使得第一導電圖形2001和第二導電圖形2003電連接。實際應用中，圖4-2中的第一導電圖形2001可以為柵極金屬圖形，第一絕緣層圖形2002可以為柵極絕緣圖形，第二導電圖形2003可以為源漏極金屬圖形，第二絕緣層圖形2004可以為鈍化層圖形，形成的陣列基板的結構示意圖如圖5-8所示。
[0144]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法，能夠在形成有第一導電圖形的襯底基板上形成第二導電圖形，在形成有第二導電圖形的襯底基板上形成側(cè)壁半開放的過孔，在形成有過孔的襯底基板上形成跳線膜層，從而采用跳線膜層連接不同層的導電圖形，相較于相關技術，可以保證跳線膜層完全連接，信號正常傳輸，因此，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量。
[0145]本發(fā)明實施例以第一導電圖形為柵極金屬圖形，第二導電圖形為源漏極金屬圖形為例，提供了一種陣列基板的制造方法，如圖5-1所示，該方法可以包括:
[0146]步驟501、在襯底基板上形成柵極金屬圖形。
[0147]如圖5-2所示，在襯底基板001上形成柵極金屬圖形002。
[0148]步驟502、在形成有柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層。
[0149]如圖5-3所示，在形成有柵極金屬圖形002的襯底基板001上形成柵極絕緣層003。
[0150]步驟503、對柵極絕緣層進行構圖，形成柵極絕緣圖形。
[0151]具體的，在形成有柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣薄膜即柵極絕緣層，在形成有柵極絕緣薄膜的襯底基板涂覆光刻膠，采用掩膜版對涂覆有光刻膠的襯底基板進行曝光，對曝光后的襯底基板進行顯影、刻蝕得到柵極絕緣圖形。形成柵極絕緣圖形004的結構示意圖如圖5-4所示，圖5-4中，柵極絕緣圖形004包括位于柵極金屬圖形002上的第一子圖形0041和與柵極金屬圖形002同層的第二子圖形0042，柵極金屬圖形002與第二子圖形0042存在間隙，如圖5-4中，柵極金屬圖形002與第二子圖形0042在柵線掃描方向(u所指示的方向)上存在間隙，第一子圖形0041覆蓋柵極金屬圖形002遠離第二子圖形0042的部分。如圖5-4中，第一子圖形0041沿柵線掃描方向的長度dl小于柵極金屬圖形002沿柵線掃描方向的長度d2。需要說明的是，第一子圖形0041平行于數(shù)