據(jù)線掃描方向(圖中未標(biāo)識)的一邊可以與襯底基板001的邊緣共線，也可以與襯底基板001的邊緣不共線，如第一子圖形0041在平行于數(shù)據(jù)線掃描方向的一邊在襯底基板001的邊緣內(nèi)側(cè)，只要第一子圖形0041能夠覆蓋柵極金屬圖形002的靠近襯底基板001的邊緣的一側(cè)的端面及并延伸到柵極金屬圖形002的上表面部分即可。第一子圖形0041沿柵線掃描方向的長度dl為覆蓋在柵線金屬圖形002上表面的部分長度。柵極金屬圖形002與第二子圖形0042同層指的是柵極金屬圖形002與第二子圖形0042在襯底基板001上的位置位于襯底基板001上的同一層。
[0152]步驟504、在形成有柵極絕緣圖形的襯底基板上形成源漏極金屬圖形。
[0153]如圖5-5所示，在形成有柵極絕緣圖形004的襯底基板001上形成源漏極金屬圖形005。源漏極金屬圖形005與第一子圖形0041位于同一層，即源漏極金屬圖形005與第一子圖形0041在襯底基板001上的位置位于襯底基板001上的同一層，且源漏極金屬圖形005與第一子圖形0041存在間隙。圖5-5的其他標(biāo)號可以參考圖5-4進(jìn)行說明。
[0154]步驟505、在形成有源漏極金屬圖形的襯底基板上形成鈍化層。
[0155]如圖5-6所示，在形成有源漏極金屬圖形005的襯底基板001上形成鈍化層006。圖5-6的其他標(biāo)號可以參考圖5-5進(jìn)行說明。
[0156]步驟506、對鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖，形成鈍化層圖形。
[0157]具體的，如圖5-7所示，采用掩膜版對鈍化層進(jìn)行圖案化，形成鈍化層圖形007。如在鈍化層上涂覆光刻膠，采用掩膜版對涂覆有光刻膠的襯底基板進(jìn)行曝光，再對曝光后的襯底基板進(jìn)行顯影、刻蝕得到鈍化層圖形，最后剝離光刻膠，即完成對鈍化層的構(gòu)圖過程。
[0158]鈍化層圖形007包括位于第一子圖形0041上的第三子圖形0071和位于源漏極金屬圖形005上的第四子圖形0072，第四子圖形0072覆蓋源漏極金屬圖形005遠(yuǎn)離第一子圖形0041的部分，如圖5-7中，第四子圖形0072沿柵線掃描方向(u所指示的方向)的長度d6小于源漏極金屬圖形005沿柵線掃描方向的長度d3。如圖5-7所示，未被柵極絕緣層的第一子圖形0041覆蓋的柵極金屬圖形002的部分、未被鈍化層的第四子圖形0072覆蓋的源漏極金屬圖形005的部分、柵極絕緣圖形004和鈍化層圖形007共同圍成過孔008。圖5-7中，0042為第二子圖形。
[0159]步驟507、在形成有過孔的襯底基板上形成跳線膜層，使得柵極金屬圖形和源漏極金屬圖形電連接。
[0160]如圖5-8所示，在形成有過孔008的襯底基板001上形成跳線膜層009，從而使柵極金屬圖形002和源漏極金屬圖形005電連接。圖5-8中的其他標(biāo)號可以參考圖5-7進(jìn)行說明。示例的，跳線膜層009可以為ITO膜層。
[0161]圖5-9示出了該過孔的俯視圖，如圖5-9所示，過孔008為條狀孔，過孔的側(cè)壁半開放，如條狀孔的寬度方向(f所指示的方向)的側(cè)壁開放，條狀孔的長度方向(e所指示的方向)的側(cè)壁不開放。條狀孔的寬度b大于或等于15微米，且小于或等于20微米。V所指示的方向?yàn)閿?shù)據(jù)線掃描方向。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的長度方向和寬度方向并不是絕對性，只是對結(jié)構(gòu)圖進(jìn)行了一下示意性的標(biāo)識。
[0162]需要補(bǔ)充說明的是，圖5-8是圖5-9所示的陣列基板的B-B’部位的剖面圖。圖5-10是圖5-9所示的陣列基板C-C’部位的剖面圖，圖5-10中，001為襯底基板，004為柵極絕緣圖形，005為源漏極金屬圖形，007為鈍化層圖形，009為跳線膜層；圖5-11是圖5_9所示的陣列基板D-D’部位的剖面圖，圖5-11中，001為襯底基板，002為柵極金屬圖形，004為柵極絕緣圖形，007為鈍化層圖形，009為跳線膜層。
[0163]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，能夠在形成有柵極金屬圖形的襯底基板上形成源漏極金屬圖形，在形成有源漏極金屬圖形的襯底基板上形成側(cè)壁半開放的過孔，在形成有過孔的襯底基板上形成跳線膜層，從而采用跳線膜層連接不同層的導(dǎo)電圖形，相較于相關(guān)技術(shù)，可以保證跳線膜層完全連接，信號正常傳輸，因此，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量。
[0164]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，如圖6-1所示，該方法具體包括:
[0165]步驟601、在襯底基板上形成第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形，第二導(dǎo)電圖形與第一導(dǎo)電圖形位于襯底基板上的同一層。
[0166]步驟602、在形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電層圖形的襯底基板上形成第一絕緣層圖形。第一導(dǎo)電圖形、第二導(dǎo)電圖形和第一絕緣層圖形圍成過孔，該過孔的側(cè)壁半開放。
[0167]步驟603、在形成有過孔的襯底基板上形成跳線膜層，使得第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形電連接。
[0168]圖6-2示出了該陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6-2所示，在襯底基板001上形成第一導(dǎo)電圖形2001和第二導(dǎo)電圖形2003，第二導(dǎo)電圖形2003與第一導(dǎo)電圖形2001位于襯底基板001上的同一層，即第二導(dǎo)電圖形2003與第一導(dǎo)電圖形2001在襯底基板001上的位置位于襯底基板001上的同一層；在形成有第一導(dǎo)電圖形2001和第二導(dǎo)電層圖形2003的襯底基板001上形成第一絕緣層圖形2002。第一導(dǎo)電圖形2001、第二導(dǎo)電圖形2003和第一絕緣層圖形2002圍成過孔008，過孔008的側(cè)壁半開放；在形成有過孔008的襯底基板001上形成跳線膜層009，使得第一導(dǎo)電圖形2001和第二導(dǎo)電圖形2003電連接。實(shí)際應(yīng)用中，圖6-2中的第一導(dǎo)電圖形2001可以為第一柵極金屬圖形，第二導(dǎo)電層圖形2003可以為第二柵極金屬圖形，第一絕緣層圖形2002可以為柵極絕緣圖形，形成的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖如圖7-6所示。其中，在第一柵極金屬圖形和第二柵極圖形之間還可以同層設(shè)置有數(shù)據(jù)線圖形，則柵極絕緣圖形除了覆蓋第一柵極金屬圖形遠(yuǎn)離第二柵極金屬圖形的部分，以及覆蓋第二柵極金屬圖形遠(yuǎn)離第一柵極金屬圖形的部分之外，為了使得第一柵極金屬圖形、第二柵極圖形和數(shù)據(jù)線圖形絕緣，柵極絕緣圖形還需要覆蓋數(shù)據(jù)線圖形和第一柵極金屬圖形、第二柵極金屬圖形之間的部分以及數(shù)據(jù)線圖形的表面。則第一柵極金屬圖形、第二柵極金屬圖形和柵極絕緣圖形圍成一個(gè)截面為凹字形的過孔。如圖6-3所示，OlO為第一柵極金屬圖形，011為第二柵極金屬圖形，014為數(shù)據(jù)線圖形，004為柵極絕緣圖形，001為襯底基板，008為過孔，009為跳線膜層，需要說明的是，圖6-3所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)并不是形成有第一柵極金屬圖形、第二柵極金屬圖形和數(shù)據(jù)線圖形的陣列基板的唯一結(jié)構(gòu)，實(shí)際應(yīng)用中，該陣列基板除了包括有上述第一柵極金屬圖形、第二柵極金屬圖形、數(shù)據(jù)線圖形和柵極絕緣圖形之外，還可以包括其他部分，本發(fā)明實(shí)施例對此不作限定。
[0169]當(dāng)然，對于用于連接同層導(dǎo)電圖形的兩部分而設(shè)置的過孔結(jié)構(gòu)還可以為其他形式，如各種斷線的修補(bǔ)、其他同層交叉線的設(shè)計(jì)等等，此處不再贅述。
[0170]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，能夠在襯底基板上形成第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形，在形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成側(cè)壁半開放的過孔，在形成有過孔的襯底基板上形成跳線膜層，從而采用跳線膜層連接同一層的導(dǎo)電圖形，相較于相關(guān)技術(shù)，可以保證跳線膜層完全連接，信號正常傳輸，因此，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量。
[0171]本發(fā)明實(shí)施例以第一導(dǎo)電圖形為第一柵極金屬圖形，第二導(dǎo)電圖形為第二柵極金屬圖形為例，提供了一種陣列基板的制造方法，如圖7-1所示，該方法具體可以包括:
[0172]步驟701、在襯底基板上形成柵極金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝同層形成第一柵極金屬圖形和第二柵極金屬圖形。
[0173]如圖7-2所示，在襯底基板001上形成柵極金屬薄膜0010。如圖7_3所示，對形成有柵極金屬薄膜的襯底基板001進(jìn)行構(gòu)圖，形成第一柵極金屬圖形010和第二柵極金屬圖形011。具體的，在形成有柵極金屬薄膜的襯底基板上涂覆光刻膠，采用掩膜版對涂覆有光刻膠的襯底基板進(jìn)行曝光，對曝光后的襯底基板進(jìn)行顯影、刻蝕得到第一柵極金屬圖形和第二柵極金屬圖形。
[0174]步驟702、在形成有第一柵極金屬圖形和第二柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層。
[0175]如圖7-4所示，在形成有第一柵極金屬圖形010和第二柵極金屬圖形011的襯底基板001上形成柵極絕緣層003。
[0176]步驟703、對柵極絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖形成柵極絕緣圖形。
[0177]如圖7-5所示，采用掩膜版對柵極絕緣層進(jìn)行圖案化，形成柵極絕緣圖形004。具體的，在形成有柵極絕緣層的襯底基板涂覆光刻膠，采用掩膜版對涂覆有光刻膠的襯底基板進(jìn)行曝光，對曝光后的襯底基板進(jìn)行顯影、刻蝕得到柵極絕緣圖形。其中，柵極絕緣圖形004覆蓋第一柵極金屬圖形010遠(yuǎn)離第二柵極金屬圖形011的部分(如0011所指示的區(qū)域)，并覆蓋第二柵極圖形011遠(yuǎn)離第一柵極金屬圖形010的部分(如0012所指示的區(qū)域)。第一柵極金屬圖形010未被柵極絕緣圖形004覆蓋的部分、第二柵極金屬圖形011未被柵極絕緣圖形004覆蓋的部分以及柵極絕緣圖形004共同圍成過孔008，過孔008的側(cè)壁半開放，側(cè)壁半開放指的是條狀孔的寬度方向的側(cè)壁開放。關(guān)于該過孔的結(jié)構(gòu)可以參考圖5-9進(jìn)行說明，在此不再贅述。
[0178]步驟704、在形成有過孔的襯底基板上形成跳線膜層，使得第一柵極金屬圖形和第二柵極金屬圖形電連接。
[0179]如圖7-6所示，在形成有過孔008的襯底基板001上形成跳線膜層009，使得第一柵極金屬圖形010和第二柵極金屬圖形011電連接。示例的，跳線膜層009可以為ITO膜層。004為柵極絕緣圖形。
[0180]此外，在襯底基板上形成本征半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜，對源漏金屬薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜、本征半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行構(gòu)圖形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極、有源層等，及形成鈍化層圖形的過程可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。
[0181]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，能夠在襯底基板上形成第一柵極金屬圖形和第二柵極金屬圖形，在形成有第一柵極金屬圖形和第二柵極金屬圖形的襯底基板上形成側(cè)壁半開放的過孔，在形成有過孔的襯底基板上形成跳線膜層，從而采用跳線膜層連接同一層的導(dǎo)電圖形，相較于相關(guān)技術(shù)，可以保證跳線膜層完全連接，信號正常傳輸，因此，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量。
[0182]本發(fā)明實(shí)施例以第一導(dǎo)電圖形為第一源漏金屬圖形，第二導(dǎo)電圖形為第二源漏金屬圖形為例，提供了一種陣列基板的制造方法，如圖8-1所示，該方法具體可以包括:
[0183]步驟801、在襯底基板上形成源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝同層形成第一源漏金屬圖形和第二源漏金屬圖形。
[0184]如圖8-2所示，在襯底基板001上形成源漏金屬薄膜0013。如圖8_3所示，對形成有源漏金屬薄膜的襯底基板001進(jìn)行構(gòu)圖，形成第一源漏金屬圖形012和第二源漏金屬圖形013。具體的，在形成有源漏金屬薄膜的襯底基板涂覆光刻膠，采用掩膜版對涂覆有光刻膠的襯底基板進(jìn)行曝光，對曝光后的襯底基板進(jìn)行顯影、刻蝕得到第一源漏金屬圖形和第二源漏金屬圖形。
[0185]步驟802、在形成有第一源漏金屬圖形和第二源漏金屬圖形的襯底基板上形成鈍化層。
[0186]如圖8-4所不，在形成有第一源漏金屬圖形