012和第二源漏金屬圖形013的襯底基板001上形成鈍化層006。
[0187]步驟803、對鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖形成鈍化層圖形。
[0188]如圖8-5所示，對鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖形成鈍化層圖形007。具體的，在形成有鈍化層的襯底基板涂覆光刻膠，采用掩膜版對涂覆有光刻膠的襯底基板進(jìn)行曝光，對曝光后的襯底基板進(jìn)行顯影、刻蝕得到鈍化層圖形。鈍化層圖形007覆蓋第一源漏金屬圖形012遠(yuǎn)離第二源漏金屬圖形013的部分(如0014所指示的區(qū)域)，并覆蓋第二源漏金屬圖形013遠(yuǎn)離第一源漏金屬圖形012的部分(如0015所指示的區(qū)域)。第一源漏金屬圖形012未被鈍化層圖形007覆蓋的部分、第二源漏金屬圖形013未被鈍化層圖形007覆蓋的部分以及鈍化層圖形007共同圍成過孔008，過孔008的側(cè)壁半開放，側(cè)壁半開放指的是條狀孔的寬度方向的側(cè)壁開放。
[0189]步驟804、在形成有過孔的襯底基板上形成跳線膜層，使得第一源漏金屬圖形和第二源漏金屬圖形電連接。
[0190]如圖8-6所示，在形成有過孔008的襯底基板001上形成跳線膜層009，使得第一源漏金屬圖形012和第二源漏金屬圖形013電連接。示例的，跳線膜層009可以為ITO膜層。007為鈍化層圖形。需要說明的是，在襯底基板上形成第一源漏金屬圖形和第二源漏金屬圖形之前，還在襯底基板上形成有柵極金屬薄膜、柵極絕緣薄膜、本征半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜，則鈍化層圖形除了覆蓋第一源漏金屬圖形遠(yuǎn)離第二源漏金屬圖形的部分，以及覆蓋第二源漏金屬圖形遠(yuǎn)離第一源漏金屬圖形的部分之外，還需要覆蓋第一源漏金屬圖形和第二源漏金屬圖形之間的部分，如圖8-7所示，圖8-7中，015為柵極金屬薄膜，016為柵極絕緣薄膜，017為本征半導(dǎo)體薄膜，018為摻雜半導(dǎo)體薄膜，012為第一源漏金屬圖形，013為第二源漏金屬圖形，007為鈍化層圖形，008為過孔，009為跳線膜層，001為襯底基板。
[0191]需要說明的是，在襯底基板上形成柵極金屬薄膜、柵極絕緣薄膜、本征半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜的過程，以及對摻雜半導(dǎo)體薄膜、本征半導(dǎo)體薄膜、柵極絕緣薄膜和柵極金屬薄膜進(jìn)行構(gòu)圖的過程可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。
[0192]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，能夠在襯底基板上形成第一源漏金屬圖形和第二源漏金屬圖形，在形成有第一源漏金屬圖形和第二源漏金屬圖形的襯底基板上形成側(cè)壁半開放的過孔，在形成有過孔的襯底基板上形成跳線膜層，從而采用跳線膜層連接同一層的導(dǎo)電圖形，相較于相關(guān)技術(shù)，可以保證跳線膜層完全連接，信號正常傳輸，因此，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量。
[0193]需要補(bǔ)充說明的是，相關(guān)陣列基板的制造方法形成的過孔的直徑為10微米，過孔的開口較小，且過孔是封閉的圓形孔或封閉的方形孔，這種類型的過孔對側(cè)蝕的容錯能力較差，側(cè)蝕風(fēng)險(xiǎn)較大，同時ITO膜層比較薄，因此，很容易使ITO膜層無法正常連接，信號無法正常傳輸，存在一定的進(jìn)行性。進(jìn)行性指的是工作人員在對顯示裝置進(jìn)行測試時沒有發(fā)現(xiàn)顯示問題，當(dāng)顯示裝置被轉(zhuǎn)交至客戶手里時，顯示裝置曝露出顯示問題。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法形成的過孔寬度的取值范圍為15?20微米，增大了過孔的開口，且過孔為半開放孔，在很大程度上提高了過孔對側(cè)蝕的容錯能力，有效降低了側(cè)蝕風(fēng)險(xiǎn)，保證跳線膜層完全連接，信號正常傳輸。且該過程無需增加曝光刻蝕工藝，方法簡單，易于實(shí)現(xiàn)，具有較強(qiáng)的適用性。此外，該方法形成的過孔還可以有效節(jié)省陣列基板的空間。
[0194]還需要補(bǔ)充說明的是，過孔是跳線設(shè)計(jì)的關(guān)鍵部分，相同的刻蝕工藝對不同材料的刻蝕速率不同，即使材料相同，材料界面和內(nèi)部的刻蝕速率也會有不同，同時，相關(guān)技術(shù)在制造陣列基板時，一般需要至少四到五次的曝光刻蝕工藝，因此過刻容易引起側(cè)蝕，當(dāng)側(cè)蝕風(fēng)險(xiǎn)較大時，陣列基板的顯示質(zhì)量就會受到影響，嚴(yán)重時還會使顯示裝置直接報(bào)廢。本發(fā)明實(shí)施例通過鈍化層曝光刻蝕工藝把跳線位置的金屬裸露出來，采用ITO膜層連接不同的導(dǎo)電圖形，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量，進(jìn)而提高了顯示裝置的畫面品質(zhì)。
[0195]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖9所示，該陣列基板包括:襯底基板001 ;襯底基板001上形成有第一導(dǎo)電圖形2001和第二導(dǎo)電圖形2003 ;形成有第一導(dǎo)電圖形2001和第二導(dǎo)電圖形2003的襯底基板001上形成有過孔008，過孔008的側(cè)壁半開放；形成有過孔008的襯底基板001上形成有跳線膜層009。需要說明的是，圖9中虛線圍成的區(qū)域?yàn)檫^孔008。其他附圖如圖5-8中的過孔可以參考圖9中過孔的標(biāo)識進(jìn)行說明。
[0196]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，襯底基板上形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形，形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成有側(cè)壁半開放的過孔，形成有過孔的襯底基板上形成有跳線膜層，從而采用跳線膜層連接不同層或同一層的導(dǎo)電圖形，相較于相關(guān)技術(shù)，可以保證跳線膜層完全連接，信號正常傳輸，因此，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量。
[0197]可選的，過孔為條狀孔，條狀孔的長度方向或?qū)挾确较虻膫?cè)壁開放。條狀孔的側(cè)壁開放的方向上大于或等于15微米，且小于或等于20微米。
[0198]需要說明的是，第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形可以位于襯底基板上的不同層，也可以位于襯底基板上的同一層。圖9所不的第一導(dǎo)電圖形2001和第二導(dǎo)電圖形2003位于襯底基板上的同一層，即第一導(dǎo)電圖形2001和第二導(dǎo)電圖形2003在襯底基板上的位置位于襯底基板上的同一層。本發(fā)明實(shí)施例形成的過孔可以用于連接襯底基板上不同層的導(dǎo)電圖形，如連接源漏極金屬圖形和柵極金屬圖形；也可以用于連接襯底基板上同一層的導(dǎo)電圖形，如連接?xùn)艠O金屬圖形，或連接源漏金屬圖形等。
[0199]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖4-2所示，該陣列基板包括:
[0200]襯底基板001 ;襯底基板001上形成有第一導(dǎo)電圖形2001 ;形成有第一導(dǎo)電圖形2001的襯底基板001上形成有第一絕緣層圖形2002 ;形成有第一絕緣層圖形2002的襯底基板001上形成有第二導(dǎo)電圖形2003，第二導(dǎo)電圖形2003與第一導(dǎo)電圖形2001位于襯底基板001上的不同層；形成有第二導(dǎo)電圖形2003的襯底基板001上形成有第二絕緣層圖形2004 ;第一導(dǎo)電圖形2001、第二導(dǎo)電圖形2003、第一絕緣層圖形2002和第二絕緣層圖形2004圍成過孔008，該過孔008的側(cè)壁半開放；形成有過孔008的襯底基板001上形成有跳線膜層009，跳線膜層009使第一導(dǎo)電圖形2001和第二導(dǎo)電圖形2003電連接。
[0201]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，形成有第一導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成有第二導(dǎo)電圖形，形成有第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成有側(cè)壁半開放的過孔，形成有過孔的襯底基板上形成有跳線膜層，采用跳線膜層連接不同層的導(dǎo)電圖形，相較于相關(guān)技術(shù)，可以保證跳線膜層完全連接，信號正常傳輸，因此，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量。
[0202]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖5-8所示，該陣列基板包括:
[0203]襯底基板001 ;襯底基板001上形成有柵極金屬圖形002 ;形成有柵極金屬圖形002的襯底基板001上有柵極絕緣圖形004 ;形成有柵極絕緣圖形004的襯底基板001上形成有源漏極金屬圖形005 ;形成有源漏極金屬圖形005的襯底基板001上形成有鈍化層圖形007，未被柵極絕緣層的第一子圖形0041覆蓋的柵極金屬圖形002的部分、未被鈍化層的第四子圖形0072覆蓋的源漏極金屬圖形005的部分、柵極絕緣圖形004和鈍化層圖形007共同圍成過孔008 ;形成有過孔008的襯底基板001上形成有跳線膜層009，跳線膜層009使柵極金屬圖形002和源漏極金屬圖形005電連接。
[0204]其中，柵極絕緣圖形004包括位于柵極金屬圖形002上的第一子圖形0041和與柵極金屬圖形002同層的第二子圖形0042，柵極金屬圖形002與第二子圖形0042存在間隙，第一子圖形0041覆蓋柵極金屬圖形002遠(yuǎn)離第二子圖形0042的部分。
[0205]如圖5-8所不，源漏極金屬圖形005與第一子圖形0041位于同一層，即源漏極金屬圖形005與第一子圖形0041在襯底基板001上的位置位于襯底基板001上的同一層。且源漏極金屬圖形005與第一子圖形0041存在間隙。鈍化層圖形007包括位于第一子圖形0041上的第三子圖形0071和位于源漏極金屬圖形005上的第四子圖形0072，第四子圖形0072覆蓋源漏極金屬圖形005遠(yuǎn)離第一子圖形0041的部分。未被柵極絕緣層的第一子圖形0041覆蓋的柵極金屬圖形002的部分、未被鈍化層的第四子圖形0072覆蓋的源漏極金屬圖形005的部分、柵極絕緣圖形004和鈍化層圖形007共同圍成過孔008。
[0206]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，形成有柵極金屬圖形的襯底基板上形成有源漏極金屬圖形，形成有源漏極金屬圖形的襯底基板上形成有側(cè)壁半開放的過孔，形成有過孔的襯底基板上形成有跳線膜層，采用跳線膜層連接不同層的導(dǎo)電圖形，相較于相關(guān)技術(shù)，可以保證跳線膜層完全連接，信號正常傳輸，因此，提高了陣列基板的顯示質(zhì)量。
[0207]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖6-2所示，該陣列基板包括:
[0208]襯底基板001 ;襯底基板001上形成有第一導(dǎo)電圖形2001和第二導(dǎo)電圖形2003，第二導(dǎo)電圖形2003與第一導(dǎo)電圖形2001位于襯底基板001上的同一層，即第二導(dǎo)電圖形2003與第一導(dǎo)電圖形2001在襯底基板001上的位置位于襯底基板001上的同一層；形成有第一導(dǎo)電圖形2001和第二導(dǎo)電層圖形2003的襯底基板001上形成有第一絕緣層圖形2002，第一導(dǎo)電圖形2001、第二導(dǎo)電圖形2003和第一絕緣層圖形2002圍成過孔008，過孔008的側(cè)壁半開放；形成有過孔008的襯底基板001上形成有跳線膜層009，跳線膜層009使第一導(dǎo)電圖形2001和第二導(dǎo)電圖形2003電連接。
[0209]示例的，第一導(dǎo)電圖形2001為第一柵極金屬圖形，第二導(dǎo)電圖形2003為第二柵極金屬圖形，第一絕緣層圖形2002為柵極絕緣圖形?；蛘撸谝粚?dǎo)電圖形2001為第一源漏金屬圖形，第二導(dǎo)電圖形2003為第一源漏金屬圖形，第一絕緣層圖形2002為鈍化層圖形。
[0210]具體的，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電圖形2001為第一柵極金屬圖形，第二導(dǎo)電圖形2003為第二柵極金屬圖形，第一絕緣層圖形2002為柵極絕緣圖形時，如圖7-5所示，柵極絕緣圖形004覆蓋第一柵極金屬圖形010遠(yuǎn)離第二柵極金屬圖形011的部分以及覆蓋第二柵極圖形011遠(yuǎn)離第一柵極金屬圖形010的部分；第一柵極金屬圖形010未被柵極絕緣圖形004覆蓋的部分、第二柵極金屬圖形011未被柵極絕緣圖形004覆蓋的部分以及柵極絕緣圖形004共同圍成過孔008。
[0211]當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電圖形2001為第一源漏金屬圖形，第二導(dǎo)電圖形2003為第一源漏金屬圖形，第一絕緣層圖形2002為鈍化層圖形時，如圖8-5所示，鈍化層圖形007覆蓋第一源漏金屬圖形012遠(yuǎn)離第二源漏金屬圖形013的部分以及覆蓋第二源漏金屬圖形013遠(yuǎn)離第一源漏金屬圖形012的部分，第一源漏金屬圖形012未被鈍化層圖形007覆蓋的部分、第二源漏金屬圖形013未被鈍化層圖形007覆蓋的部分以及鈍化層圖形007共同圍成過孔008。
[0212]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上