X射線圖像傳感器用基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及基于來自X射線所入射的X射線轉(zhuǎn)換膜的電荷信號(hào)來顯示X射線所透射過的被拍攝體的圖像的X射線圖像傳感器用基板。
【背景技術(shù)】
[0002]—般地X射線攝影裝置具備X射線圖像傳感器，由X射線發(fā)生器從多個(gè)方向?qū)θ梭w等被拍攝體照射X射線，用X射線圖像傳感器測(cè)定透射過被拍攝體的X射線的強(qiáng)度分布(即被拍攝體的投影)。
[0003]作為該X射線圖像傳感器，例如公開了如下X射線圖像傳感器:具備:薄膜晶體管(Thin Film Transistor，以下也稱為“TFT” )，其構(gòu)成在透明基板上;第1保護(hù)絕緣膜，其包含并覆蓋TFT;電容電極，其設(shè)于第1保護(hù)絕緣膜上，以其一部分至少遮擋TFT的方式構(gòu)成;第2保護(hù)絕緣膜，其以覆蓋形成于第1保護(hù)絕緣膜上的電容電極的方式構(gòu)成；以及像素電極，其以與TFT的一個(gè)端子相連的方式構(gòu)成在第2保護(hù)絕緣膜上。并且，上述X射線圖像傳感器為如下構(gòu)成:通過對(duì)轉(zhuǎn)換膜照射X射線而產(chǎn)生的電荷存儲(chǔ)于存儲(chǔ)電容，存儲(chǔ)電容由電容電極、第2保護(hù)絕緣膜以及像素電極構(gòu)成(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:特開2004 — 87604號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明要解決的問題
[0008]在此，如果使X射線圖像傳感器實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化(即縮小像素的間距)，則構(gòu)成存儲(chǔ)電容的電極的面積變小，因此存儲(chǔ)電容變小。
[0009]另外，數(shù)據(jù)信號(hào)線(以下稱為“源極線”。)連接著多個(gè)TFT，因此來自多個(gè)TFT的漏電電流成為噪聲。
[0010]因而，如上所述，存在如下問題:當(dāng)存儲(chǔ)電容變小時(shí)，該存儲(chǔ)電容被由TFT的漏電電流造成的噪聲淹沒，無(wú)法判斷由X射線的強(qiáng)弱導(dǎo)致的電荷轉(zhuǎn)換差。
[0011]另外，為了增大存儲(chǔ)電容，雖然考慮增大構(gòu)成存儲(chǔ)電容的電極的面積或者較薄地形成絕緣膜而縮窄構(gòu)成存儲(chǔ)電容的電極間的間隙，但是在實(shí)現(xiàn)了高精細(xì)化的X射線圖像傳感器中不易增大電極的面積，另外，如果使絕緣膜變薄，則會(huì)影響TFT的特性或成品率(耐壓)，因此不易使構(gòu)成存儲(chǔ)電容的絕緣膜變薄。
[0012]因此，本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供即使在實(shí)現(xiàn)了高精細(xì)化的情況下也能用簡(jiǎn)單的構(gòu)成來增加存儲(chǔ)電容的X射線圖像傳感器用基板。
[0013]用于解決問題的方案
[0014]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第一X射線圖像傳感器用基板的特征在于，具備:絕緣基板;柵極電極和輔助電容電極，其設(shè)于絕緣基板上;柵極絕緣膜，其以覆蓋柵極電極和輔助電容電極的方式設(shè)于絕緣基板上;半導(dǎo)體層，其以與柵極電極重疊的方式設(shè)于柵極絕緣膜上；漏極電極，其設(shè)于柵極絕緣膜上和半導(dǎo)體層上;鈍化膜，其以覆蓋半導(dǎo)體層和漏極電極的方式設(shè)于柵極絕緣膜上;平坦化膜，其設(shè)于鈍化膜上；電容電極，其設(shè)于平坦化膜上；層間絕緣膜，其以覆蓋電容電極的方式設(shè)于平坦化膜上；以及像素電極，其形成于層間絕緣膜上，經(jīng)由形成于鈍化膜、平坦化膜以及層間絕緣膜的接觸孔而與漏極電極電連接。
[0015]本發(fā)明的第二X射線圖像傳感器用基板的特征在于，具備:絕緣基板;柵極電極和輔助電容電極，其設(shè)于絕緣基板上;柵極絕緣膜，其以覆蓋柵極電極和輔助電容電極的方式設(shè)于絕緣基板上;半導(dǎo)體層，其以與柵極電極重疊的方式設(shè)于柵極絕緣膜上;漏極電極，其設(shè)于柵極絕緣膜上和半導(dǎo)體層上;鈍化膜，其以覆蓋半導(dǎo)體層和漏極電極的方式設(shè)于柵極絕緣膜上；以及電容電極，其設(shè)于鈍化膜上。
[0016]本發(fā)明的第三X射線圖像傳感器用基板的特征在于，具備:絕緣基板;柵極電極和輔助電容電極，其設(shè)于絕緣基板上;柵極絕緣膜，其以覆蓋柵極電極和輔助電容電極的方式設(shè)于絕緣基板上;半導(dǎo)體層，其以與柵極電極重疊的方式設(shè)于柵極絕緣膜上;漏極電極，其設(shè)于柵極絕緣膜上和半導(dǎo)體層上;鈍化膜，其以覆蓋半導(dǎo)體層和漏極電極的方式設(shè)于柵極絕緣膜上；電容電極，其設(shè)于鈍化膜上;層間絕緣膜，其以覆蓋電容電極的方式設(shè)于鈍化膜上；以及像素電極，其形成于層間絕緣膜上，經(jīng)由形成于鈍化膜和層間絕緣膜的接觸孔而與漏極電極電連接。
[0017]發(fā)明效果
[0018]根據(jù)本發(fā)明，能可靠地確保存儲(chǔ)電容，因此能可靠地判斷由X射線的強(qiáng)弱導(dǎo)致的電荷轉(zhuǎn)換差，在實(shí)現(xiàn)了高精細(xì)化的X射線圖像傳感器中能得到高分辨率的圖像。
【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的X射線圖像傳感器的截面圖。
[0020]圖2是用截面表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的X射線圖像傳感器的制造工序的說明圖。
[0021]圖3是用截面表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的X射線圖像傳感器的制造工序的說明圖。
[0022]圖4是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的X射線圖像傳感器的截面圖。
[0023]圖5是用截面表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的X射線圖像傳感器的制造工序的說明圖。
[0024]圖6是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的X射線圖像傳感器的截面圖。
[0025]圖7是用截面表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的X射線圖像傳感器的制造工序的說明圖。
[0026]圖8是本發(fā)明的第4實(shí)施方式的X射線圖像傳感器的截面圖。
[0027]圖9是用截面表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的X射線圖像傳感器的制造工序的說明圖。
[0028]圖10是用截面表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的X射線圖像傳感器的制造工序的說明圖。
[0029]圖11是表示本發(fā)明的變形例的光傳感器的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]以下一邊參照附圖一邊詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施方式。此外，本發(fā)明不限于以下的實(shí)施方式。
[0031](第!實(shí)施方式)
[0032]圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的X射線圖像傳感器的截面圖。
[0033]如圖1所示，X射線圖像傳感器1具備:薄膜晶體管基板2，其具備薄膜晶體管5;相對(duì)基板3，其與薄膜晶體管基板2相對(duì)地配置，具備轉(zhuǎn)換膜25;以及導(dǎo)電性樹脂部件15，其設(shè)于薄膜晶體管基板2和相對(duì)基板3之間。
[0034]薄膜晶體管5具備:玻璃基板等絕緣基板4;柵極電極6和輔助電容電極7，其設(shè)于絕緣基板4上;柵極絕緣膜8，其以覆蓋柵極電極6和輔助電容電極7的方式設(shè)于絕緣基板上;氧化物半導(dǎo)體層9，其具有溝道區(qū)域，上述溝道區(qū)域以與柵極電極6重疊的方式按島狀設(shè)于極絕緣膜8上；以及源極電極10和漏極電極11，其以與柵極電極6重疊并且隔著溝道區(qū)域相互面對(duì)的方式設(shè)于氧化物半導(dǎo)體層9上。
[0035]另外，薄膜晶體管基板2是用于X射線圖像傳感器1的基板，具備:鈍化膜12，其以覆蓋上述薄膜晶體管5(即氧化物半導(dǎo)體層9、源極電極10以及漏極電極11)的方式設(shè)于柵極絕緣膜8上;平坦化膜13，其設(shè)于鈍化膜12上；電容電極14，其設(shè)于平坦化膜13上;層間絕緣膜16，其以覆蓋電容電極14的方式設(shè)于平坦化膜13上；以及像素電極17，其以矩陣狀設(shè)于層間絕緣膜16上，連接到薄膜晶體管5。
[0036]另外，如圖1所示，在鈍化膜12、平坦化膜13以及層間絕緣膜16中形成有接觸孔18，接觸孔18的一部分與漏極電極11接觸。并且，在接觸孔18中，像素電極17與漏極電極11接觸，由此使像素電極17與漏極電極11電連接。
[0037]S卩，漏極電極11成為經(jīng)由形成于鈍化膜12、平坦化膜13以及層間絕緣膜16的接觸孔18連接到像素電極17的構(gòu)成。
[0038]另外，如圖1所示，X射線圖像傳感器1具備多個(gè)間隔物19，多個(gè)間隔物19用于進(jìn)行限制以使單元間隙變得均勻。
[0039]另外，間隔物19例如包括丙烯酸系的感光性樹脂材料，通過光刻法形成。
[0040]柵極電極6和輔助電容電極7例如由第1導(dǎo)電膜、第2導(dǎo)電膜以及第3導(dǎo)電膜的層疊膜構(gòu)成，第1導(dǎo)電膜設(shè)于絕緣基板4上，由鈦等形成，第2導(dǎo)電膜設(shè)于第1導(dǎo)電膜上，由鋁等形成，第3導(dǎo)電膜設(shè)于第2導(dǎo)電膜上，由鈦等形成。此外，源極電極10和漏極電極11也由同樣的層疊膜構(gòu)成。
[0041]作為構(gòu)成柵極絕緣膜8和鈍化膜12的材料，可舉出例如氧化硅(S1)、氮化硅(SiN)等。此外，也可以設(shè)為用氧化硅膜和氮化硅膜的2層層疊結(jié)構(gòu)形成柵極絕緣膜8和鈍化膜12的構(gòu)成。
[0042]平坦化膜13具有使TFT5的形成膜面變得平坦的功能，該平坦化膜13由丙烯酸樹脂等有機(jī)樹脂材料或上述氧化娃、氮化娃等無(wú)機(jī)材料構(gòu)成。此外，從TFT5的平坦性和減小在柵極總線與源極總線交叉的部位產(chǎn)生的電容的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選平坦化膜13的厚度是0.5μπι以上，ΙΟμπι以下。
[0043]作為