構(gòu)成層間絕緣膜16的材料，可舉出例如氧化硅(S1)、氮化硅(SiN)等，也可以與上述平坦化膜13同樣地由丙烯酸樹(shù)脂等有機(jī)樹(shù)脂材料構(gòu)成。
[0044]氧化物半導(dǎo)體層9由氧化物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體膜形成，氧化物半導(dǎo)體包括銦、鎵以及鋅，氧化物半導(dǎo)體膜例如包括氧化銦鎵鋅(In-Ga-Zn-Ο)等。
[0045]另外，電容電極14和像素電極17例如由銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、含有氧化硅的銦錫氧化物(ITS0)等形成。此外，也可以由鋁、鈦、鉬、鎢、鉭、銀、銅等金屬或者這些金屬的層疊結(jié)構(gòu)形成電容電極14和像素電極17。
[0046]如圖1所示，相對(duì)基板3具備:玻璃基板等絕緣基板20、設(shè)于絕緣基板20上的用于施加偏壓的電極21以及設(shè)于電極21上的轉(zhuǎn)換膜25。
[0047]電極21例如由鋁、鈦、鉬、鎢、鉭、銀、銅等金屬或者這些金屬的層疊結(jié)構(gòu)形成，成為經(jīng)由該電極21對(duì)轉(zhuǎn)換膜25施加偏壓的構(gòu)成。電極21的厚度例如能設(shè)定為0.5μπι?30μπι。
[0048]轉(zhuǎn)換膜25發(fā)揮作為將X射線(xiàn)信息轉(zhuǎn)換為電信息的膜的功能，使用例如CdTe、CdZnTe、InP、a_Se等。轉(zhuǎn)換膜25的厚度例如能設(shè)定為50μηι?ΙΟΟΟμηι。
[0049]此外，作為本實(shí)施方式的相對(duì)基板3，能使用通過(guò)將CdTe等進(jìn)行接近蒸鍍而將轉(zhuǎn)換膜25設(shè)于絕緣基板20上而形成的基板，或者將用CdTe等結(jié)晶直接形成電極21的膜以平鋪狀貼附于絕緣基板20而形成的基板。
[0050]另外，如圖1所示，為如下構(gòu)成:在薄膜晶體管基板2和相對(duì)基板3之間設(shè)有導(dǎo)電性樹(shù)脂部件15，該導(dǎo)電性樹(shù)脂部件15與設(shè)于薄膜晶體管基板2的像素電極17和設(shè)于相對(duì)基板3的轉(zhuǎn)換膜25接觸，薄膜晶體管基板2與相對(duì)基板3利用導(dǎo)電性樹(shù)脂部件15接合。
[0051]該導(dǎo)電性樹(shù)脂部件15例如由過(guò)度添加了感光性碳的樹(shù)脂材料(例如形成液晶表示裝置的用于遮光的黑矩陣的樹(shù)脂材料)等具有導(dǎo)電性的樹(shù)脂材料形成，通過(guò)光刻法形成。此夕卜，也可以由焊接金屬形成。如圖1所示，成為像素電極17與轉(zhuǎn)換膜25經(jīng)由該導(dǎo)電性樹(shù)脂部件15電連接的構(gòu)成。
[0052]并且，在這種X射線(xiàn)圖像傳感器1中，首先，當(dāng)從X射線(xiàn)發(fā)生器輻射并且照射到人體等被拍攝體而透射過(guò)被拍攝體的X射線(xiàn)入射到轉(zhuǎn)換膜25時(shí)，在轉(zhuǎn)換膜25中產(chǎn)生空穴和電子對(duì)。然后，當(dāng)經(jīng)由電極21對(duì)轉(zhuǎn)換膜25施加偏壓時(shí)，根據(jù)該施加偏壓的正負(fù)，與被該偏壓提高的極性為相反極性的電荷(例如在施加了正的偏壓的情況下是空穴)經(jīng)由導(dǎo)電性樹(shù)脂部件15存儲(chǔ)于薄膜晶體管基板2的存儲(chǔ)電容。并且，由每一像素的薄膜晶體管5將該積蓄的電荷作為電流進(jìn)行讀取，由此能按每一像素將X射線(xiàn)的透射強(qiáng)弱轉(zhuǎn)換為電流量，可得到能識(shí)別為圖像的X射線(xiàn)圖像。
[0053]此時(shí)，在本實(shí)施方式的X射線(xiàn)圖像傳感器1中，如圖1所示，不僅具備由電容電極14、層間絕緣膜16以及像素電極17構(gòu)成的存儲(chǔ)電容，還具備由輔助電容電極7、柵極絕緣膜8以及漏極電極11構(gòu)成的存儲(chǔ)電容。
[0054]因而，即使在X射線(xiàn)圖像傳感器1實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化(即縮小像素的間距而實(shí)現(xiàn)高分辨率化)，由此使構(gòu)成存儲(chǔ)電容的電極的面積變小的情況下，與上述現(xiàn)有的X射線(xiàn)圖像傳感器相比，也能可靠地確保存儲(chǔ)電容。其結(jié)果是，能防止存儲(chǔ)電容被由薄膜晶體管5的漏電電流等造成的噪聲淹沒(méi)的缺陷的發(fā)生，能可靠地判斷由X射線(xiàn)的強(qiáng)弱導(dǎo)致的電荷轉(zhuǎn)換差，因此在實(shí)現(xiàn)了高精細(xì)化的X射線(xiàn)圖像傳感器1中能得到高分辨率的圖像。
[0055]此外，在本實(shí)施方式中，從以不降低薄膜晶體管5的特性的方式確保存儲(chǔ)電容的大小的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，設(shè)為將圖1所示的柵極絕緣膜8的厚度m設(shè)定為5?lOOOnm的構(gòu)成。另外，從同樣的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，設(shè)為將層間絕緣膜16的厚度H2設(shè)定為50?lOOOnm的構(gòu)成。
[0056]下面，使用附圖來(lái)說(shuō)明本實(shí)施方式的X射線(xiàn)圖像傳感器的制造方法的一例。圖2?圖3是用截面表示本實(shí)施方式的X射線(xiàn)圖像傳感器的制造工序的說(shuō)明圖。
[0057]<柵極電極形成工序>
[0058]首先，在玻璃基板等絕緣基板4的整個(gè)基板中，例如通過(guò)濺射法按順序形成鈦膜(厚度是10nm?200nm)、鋁膜(厚度是lOOnm?800nm程度)以及鈦膜(厚度是50?500nm)，之后對(duì)這些膜進(jìn)行光刻和蝕刻，并且進(jìn)行抗蝕劑的剝離清洗，由此如圖2所示，在絕緣基板4上同時(shí)形成柵極電極6和輔助電容電極7。
[0059]<柵極絕緣膜形成工序>
[0060]然后，在形成有柵極電極6和輔助電容電極7的整個(gè)基板中，通過(guò)CVD法形成例如氧化硅膜，如圖2所示，以覆蓋柵極電極6和輔助電容電極7的方式形成柵極絕緣膜8(厚度是5nm?500nm程度)。
[0061]此外，進(jìn)行光刻和蝕刻并且進(jìn)行抗蝕劑的剝離清洗，由此在柵極絕緣膜8中形成開(kāi)口，作為來(lái)自外部的電輸入端子部位。
[0062]另外，也可以設(shè)為以2層的層疊結(jié)構(gòu)形成柵極絕緣膜8的構(gòu)成。在這種情況下，能設(shè)為例如上述氧化硅膜和氮化硅膜的2層結(jié)構(gòu)。
[0063]在這種情況下，作為下層側(cè)的柵極絕緣膜，能將SiH4和NH3作為反應(yīng)氣體使用來(lái)形成氮化硅膜，并且作為上層側(cè)的柵極絕緣膜，能將N20、SiH4作為反應(yīng)氣體使用來(lái)形成氧化硅膜。
[0064]<氧化物半導(dǎo)體層形成工序>
[0065]然后，通過(guò)派射法形成例如In-Ga-Zn-Ο系的氧化物半導(dǎo)體膜(厚度是10nm?200nm程度)，之后對(duì)該氧化物半導(dǎo)體膜進(jìn)行光刻、濕蝕刻以及抗蝕劑的剝離清洗，由此如圖3所示，以與柵極電極6重疊的方式在柵極絕緣膜8上形成氧化物半導(dǎo)體層9。
[0066]<源極漏極形成工序>
[0067]然后，在形成有氧化物半導(dǎo)體層9的整個(gè)基板中，例如通過(guò)濺射法按順序形成例如鈦膜(厚度是10nm?200nm)、鋁膜(厚度是lOOnm?800nm程度)以及鈦膜(厚度是δΟ?500nm)，之后對(duì)這些膜進(jìn)行光刻和蝕刻，并且進(jìn)行抗蝕劑的剝離清洗，由此如圖2所示，在氧化物半導(dǎo)體層9上和柵極絕緣膜8上同時(shí)形成源極電極10和漏極電極11。
[0068]此時(shí)，如圖2所示，使氧化物半導(dǎo)體層9的溝道區(qū)域露出并且將源極電極10和漏極電極11以隔著溝道區(qū)域相互面對(duì)的方式設(shè)于薄膜晶體管5。
[0069]另外，如圖2所示，形成于柵極絕緣膜8上的漏極電極11隔著柵極絕緣膜8與輔助電容電極7相對(duì)地配置，由輔助電容電極7、柵極絕緣膜8以及漏極電極11形成存儲(chǔ)電容。
[0070]<鈍化膜形成工序>
[0071]然后，在形成有源極電極10和漏極電極11的整個(gè)基板中，通過(guò)等離子體CVD法形成例如氮化硅膜、氧化硅膜(厚度是5nm?500nm程度)等，對(duì)這些膜進(jìn)行光刻和蝕刻，并且進(jìn)行抗蝕劑的剝離清洗，由此如圖2所示，在柵極絕緣膜8上形成覆蓋薄膜晶體管5(即覆蓋氧化物半導(dǎo)體層9、源極電極10以及漏極電極11)的鈍化膜12。
[0072]<平坦化膜形成工序>
[0073]然后，在形成有鈍化膜12的整個(gè)基板中，通過(guò)旋涂法或者狹縫涂布法按厚度0.5μπι?ΙΟμπι的程度涂敷包括感光性丙烯酸樹(shù)脂等的感光性的有機(jī)絕緣膜，由此如圖3所示在鈍化膜12的表面上形成平坦化膜13。
[0074]<電容電極形成工序>
[0075]然后，在形成有平坦化膜13的整個(gè)基板中，通過(guò)濺射法形成例如包括銦鋅氧化物的ΙΖ0膜(厚度是50nm?500nm程度)等的透明導(dǎo)電膜，之后對(duì)該透明導(dǎo)電膜進(jìn)行光刻、濕蝕刻以及抗蝕劑的剝離清洗，由此如圖3所示在平坦化膜13上形電容電極14。
[0076]<層間絕緣膜形成工序>
[0077]然后，在形成有電容電極14的整個(gè)基板中，通過(guò)等離子體CVD法形成例如氧化硅膜、氮化硅膜等，如圖3所示，在平坦化膜13上形成覆蓋電容電極14的層間絕緣膜16(厚度是50nm?lOOOnm程度)。
[0078]<接觸孔形成工序>
[0079]然后，通過(guò)光刻形成圖案，進(jìn)行曝光、顯影，使用蝕刻法形成圖案，由此如圖3所示對(duì)鈍化膜12、平坦化膜13以及層間絕緣膜16進(jìn)行蝕刻，形成接觸孔18。
[0080]<像素電極形成工序>
[0081]然后，在形成有層間絕緣膜16的整個(gè)基板中，通過(guò)濺射法形成例如包括銦鋅氧化物的IZ0膜(厚度是50nm?500nm程度)等的透明導(dǎo)電膜，之后對(duì)該透明導(dǎo)電膜進(jìn)行光刻、濕蝕刻以及抗蝕劑的剝離清洗，由此如圖3所示在接觸孔18上和層間絕緣膜16上形成像素電極17。
[0082]此時(shí)，如圖3所示