，能制作薄膜晶體管基板51。
[0168]并且，與上述第1實施方式的情況同樣地進行導電性樹脂部件形成工序和貼合工序，由此使設于薄膜晶體管基板51和相對基板3之間的導電性樹脂部件15與設于薄膜晶體管基板51的像素電極17和設于相對基板3的轉換膜25接觸，使像素電極17與轉換膜25經由導電性樹脂部件15電連接。
[0169]如上所示，能制造本實施方式的X射線圖像傳感器50。
[0170]在以上說明的本實施方式中，能得到以下效果。
[0171 ] (6)在本實施方式中，薄膜晶體管基板51具備:由漏極電極11、鈍化膜12以及電容電極14構成的存儲電容、由輔助電容電極7、柵極絕緣膜8以及漏極電極11構成的存儲電容、和由漏極電極11、鈍化膜12、平坦化膜13以及電容電極14構成的存儲電容。因而，即使在X射線圖像傳感器50實現高精細化而使構成存儲電容的電極的面積變小的情況下，與上述現有的X射線圖像傳感器相比，也能可靠地確保存儲電容。其結果是，能可靠地判斷由X射線的強弱導致的電荷轉換差，因此在實現了高精細化的X射線圖像傳感器50中能得到高分辨率的圖像。
[0172](7)另外，在本實施方式中，設為在平坦化膜13中形成凹窩部13a，在凹窩部13a中設置電容電極14的構成。因而，電容電極14的表面積增加，并且在凹窩部13a中能縮小漏極電極11和電容電極14的距離。其結果是，由于還具備由漏極電極11、鈍化膜12、平坦化膜13以及電容電極14構成的存儲電容，因此與上述現有的X射線圖像傳感器相比，能更進一步可靠地確保存儲電容。
[0173]此外，上述實施方式也可以如下所示進行變更。
[0174]在上述實施方式中，雖然將氧化物半導體層9作為半導體層使用，但是半導體層不限于此，也可以設為如下構成:將代替氧化物半導體層的包括例如非晶硅或多晶硅的硅系半導體層作為薄膜晶體管的半導體層使用。
[0175]另外，在上述實施方式中，雖然將包括氧化銦鎵鋅(In-Ga-Zn-Ο)的氧化物半導體層作為氧化物半導體層使用，但是氧化物半導體層不限于此，也可以使用包括包含銦(In)、鎵(Ga)、招(A1)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鎂(Mg)、鎘(Cd)中的至少1種的金屬氧化物的材料。
[0176]包括這些材料的氧化物半導體層是無定形的，但是由于其迀移率高，所以也能增大開關元件子的導通電阻。因而，讀出數據時的輸出電壓的差變大，能提高信噪比。
[0177]例如除了IGZO (I n-Ga-Zn-Ο)以夕卜，能舉出 I nGa03 (ZnO) 5、MgxZn1-x0、CdxZn ι-χ0、CdO等氧化物半導體膜。
[0178]另外，還能使用添加了1族元素、13族元素、14族元素、15族元素或者17族元素中的1種或者多種雜質元素的ZnO的非晶質狀態(tài)、多結晶狀態(tài)或者非晶質狀態(tài)和多結晶狀態(tài)混合存在的微結晶狀態(tài)的氧化物半導體膜或沒有添加上述雜質的氧化物半導體膜。
[0179]另外，本發(fā)明還能應用于例如光傳感器等其它傳感器。
[0180]更具體地，例如如圖11所示，能應用于在像素電極17上層疊有作為光電轉換元件的光電二極管61的光傳感器60。
[0181]該光電二極管61從下層起由摻雜了磷(P)等η型雜質的非晶硅膜62、沒有摻雜的本征非晶硅膜63以及摻雜了硼(Β)等ρ型雜質的非晶硅膜64的層疊膜構成。
[0182]并且，在光電二極管61上形成有透明電極65，透明電極65經由在層間絕緣膜66中開口形成的接觸孔67與形成于層間絕緣膜66上的偏壓線68連接，層間絕緣膜66是以覆蓋光電二極管61和透明電極65的方式形成的保護膜。
[0183]工業(yè)上的可利用性
[0184]作為本發(fā)明的應用實例，可舉出基于來自X射線所入射的X射線轉換膜的電荷信號來顯示X射線所透射過的被拍攝體的圖像的X射線圖像傳感器用基板。
[0185]附圖標記說明
[0186]1 X射線圖像傳感器
[0187]2 薄膜晶體管基板(X射線圖像傳感器用基板)
[0188]3 相對基板
[0189]4絕緣基板
[0190]5薄膜晶體管
[0191]6柵極電極
[0192]7輔助電容電極
[0193]8柵極絕緣膜
[0194]9氧化物半導體層
[0195]10源極電極
[0196]11漏極電極
[0197]12鈍化膜
[0198]13平坦化膜
[0199]13a凹窩部
[0200]14電容電極
[0201]15導電性樹脂部件
[0202]16層間絕緣膜
[0203]17像素電極
[0204]18接觸孔
[0205]19間隔物
[0206]20絕緣基板
[0207]21電極
[0208]25轉換膜
[0209]30X射線圖像傳感器
[0210]31薄膜晶體管基板(X射線圖像傳感器用基板)
[0211]32接觸孔
[0212]40X射線圖像傳感器
[0213]41薄膜晶體管基板(X射線圖像傳感器用基板)
[0214]42接觸孔
[0215]50X射線圖像傳感器
[0216]51薄膜晶體管基板(X射線圖像傳感器用基板)。
【主權項】
1.一種X射線圖像傳感器用基板，其特征在于，具備: 絕緣基板； 柵極電極和輔助電容電極，其設于上述絕緣基板上； 柵極絕緣膜，其以覆蓋上述柵極電極和上述輔助電容電極的方式設于上述絕緣基板上； 半導體層，其以與上述柵極電極重疊的方式設于上述柵極絕緣膜上； 漏極電極，其設于上述柵極絕緣膜上和上述半導體層上； 鈍化膜，其以覆蓋上述半導體層和上述漏極電極的方式設于上述柵極絕緣膜上； 平坦化膜，其設于上述鈍化膜上； 電容電極，其設于上述平坦化膜上； 層間絕緣膜，其以覆蓋上述電容電極的方式設于上述平坦化膜上；以及像素電極，其形成于上述層間絕緣膜上，經由形成于上述鈍化膜、上述平坦化膜以及上述層間絕緣膜的接觸孔而與上述漏極電極電連接。2.根據權利要求1所述的X射線圖像傳感器用基板，其特征在于， 在上述平坦化膜中形成有凹窩部，在該凹窩部中設有上述電容電極。3.一種X射線圖像傳感器用基板，其特征在于，具備: 絕緣基板； 柵極電極和輔助電容電極，其設于上述絕緣基板上； 柵極絕緣膜，其以覆蓋上述柵極電極和上述輔助電容電極的方式設于上述絕緣基板上； 半導體層，其以與上述柵極電極重疊的方式設于上述柵極絕緣膜上； 漏極電極，其設于上述柵極絕緣膜上和上述半導體層上； 鈍化膜，其以覆蓋上述半導體層和上述漏極電極的方式設于上述柵極絕緣膜上；以及 電容電極，其設于上述鈍化膜上。4.一種X射線圖像傳感器用基板，其特征在于，具備: 絕緣基板； 柵極電極和輔助電容電極，其設于上述絕緣基板上； 柵極絕緣膜，其以覆蓋上述柵極電極和上述輔助電容電極的方式設于上述絕緣基板上； 半導體層，其以與上述柵極電極重疊的方式設于上述柵極絕緣膜上； 漏極電極，其設于上述柵極絕緣膜上和上述半導體層上； 鈍化膜，其以覆蓋上述半導體層和上述漏極電極的方式設于上述柵極絕緣膜上； 電容電極，其設于上述鈍化膜上； 層間絕緣膜，其以覆蓋上述電容電極的方式設于上述鈍化膜上；以及像素電極，其形成于上述層間絕緣膜上，經由形成于上述鈍化膜和上述層間絕緣膜的接觸孔而與上述漏極電極電連接。5.根據權利要求1?權利要求4中的任一項所述的X射線圖像傳感器用基板，其特征在于， 上述半導體層是氧化物半導體層。
【專利摘要】薄膜晶體管基板(2)具備：輔助電容電極(7)；柵極絕緣膜(8)，其以覆蓋輔助電容電極(7)的方式設于絕緣基板(4)上；漏極電極(11)，其設于柵極絕緣膜(8)上和氧化物半導體層(9)上；平坦化膜(13)，其設于鈍化膜(12)上；電容電極(14)，其設于平坦化膜(13)上；層間絕緣膜(16)，其設于平坦化膜(13)上；以及像素電極(17)，其形成于層間絕緣膜(16)上，經由接觸孔(18)與漏極電極(11)電連接。
【IPC分類】H01L27/144, H01L27/146
【公開號】CN105453269
【申請?zhí)枴緾N201480043627
【發(fā)明人】藤原正樹, 田中耕平
【申請人】夏普株式會社
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2014年8月5日
【公告號】US20160190202, WO2015019609A1