，在層間絕緣膜16上形成的像素電極17經(jīng)由層間絕緣膜16與電容電極14相對地配置，由電容電極14、層間絕緣膜16以及像素電極17形成存儲電容。
[0083]<間隔物形成工序>
[0084]然后，通過光刻法形成間隔物19。更具體地，在形成有像素電極17的整個基板中，通過旋涂法涂敷丙烯酸系的感光性樹脂，在隔著光掩膜對該涂敷的感光性樹脂進行曝光后對其進行顯影，由此將間隔物19的厚度形成為4μπι程度。
[0085]如上所示，能制作薄膜晶體管基板2。
[0086]<導電性樹脂部件形成工序>
[0087]然后，在形成于接觸孔18上和層間絕緣膜16上的像素電極17上形成導電性樹脂部件15，導電性樹脂部件15包括例如過度添加了感光性碳的樹脂材料等具有導電性的樹脂材料。
[0088]<貼合工序>
[0089]然后，準備相對基板3，將薄膜晶體管基板2和相對基板3隔著導電性樹脂部件15貼合而接合，相對基板3具備:玻璃基板等絕緣基板20;設于絕緣基板20上的用于施加偏壓的電極21;以及設于電極21上的轉(zhuǎn)換膜25。
[0090]此時，在薄膜晶體管基板2和相對基板3之間設置的導電性樹脂部件15與設于薄膜晶體管基板2的像素電極17和設于相對基板3的轉(zhuǎn)換膜25接觸，像素電極17與轉(zhuǎn)換膜25經(jīng)由導電性樹脂部件15電連接。
[0091]如上所示，能制造本實施方式的X射線圖像傳感器1。
[0092]在以上說明的本實施方式中，能得到以下效果。
[0093](1)在本實施方式中，薄膜晶體管基板2具備:由電容電極14、層間絕緣膜16以及像素電極17構成的存儲電容和由輔助電容電極7、柵極絕緣膜8以及漏極電極11構成的存儲電容。因而，即使X射線圖像傳感器1實現(xiàn)高精細化，由此使構成存儲電容的電極的面積變小的情況下，與上述現(xiàn)有的X射線圖像傳感器相比，也能可靠地確保存儲電容。其結果是，能可靠地判斷由X射線的強弱導致的電荷轉(zhuǎn)換差，因此在實現(xiàn)了高精細化的X射線圖像傳感器1中能得到高分辨率的圖像。
[0094](2)在本實施方式中，設為氧化物半導體層9包括由銦、鎵以及鋅構成的氧化物半導體的構成。因而，在薄膜晶體管5中能得到高迀移率、低截止電流的良好的特性。
[0095](第2實施方式)
[0096]下面，說明本發(fā)明的第2實施方式。圖4是本發(fā)明的第2實施方式的X射線圖像傳感器的截面圖。此外，對與上述第1實施方式同樣的構成部分附上同一附圖標記而省略其說明。
[0097]本實施方式的X射線圖像傳感器30在如下方面具有特征:如圖4所示，具備由漏極電極11、鈍化膜12以及電容電極14構成的存儲電容來代替上述第1實施方式的由電容電極
14、層間絕緣膜16以及像素電極17構成的存儲電容。
[0098]根據(jù)這種構成，與上述第1實施方式的X射線圖像傳感器1同樣地，與上述現(xiàn)有的X射線圖像傳感器相比，能可靠地確保存儲電容，因此能防止存儲電容被由薄膜晶體管5的漏電電流等造成的噪聲淹沒的缺陷的發(fā)生。因而，能可靠地判斷由X射線的強弱導致的電荷轉(zhuǎn)換差，因此在實現(xiàn)了高精細化的X射線圖像傳感器30中能得到高分辨率的圖像。
[0099]另外，與上述第1實施方式的X射線圖像傳感器1不同，由于無需設置層間絕緣膜16和像素電極17，因此X射線圖像傳感器30的構成被簡化，能以不增加制造工序數(shù)量的方式確保存儲電容。
[0100]此外，在本實施方式的薄膜晶體管基板31中，如圖4所示，電容電極14以覆蓋平坦化膜13的方式設于該平坦化膜13上和鈍化膜12上，由漏極電極11、鈍化膜12以及電容電極14構成存儲電容。
[0101]另外，僅在鈍化膜12中形成有接觸孔32，接觸孔32—部分與漏極電極11接觸。并且，在接觸孔32中設有導電性樹脂部件15，該導電性樹脂部件15成為與設于薄膜晶體管基板31的漏極電極11和設于相對基板3的轉(zhuǎn)換膜25接觸的構成。并且，如圖4所示，成為漏極電極11與轉(zhuǎn)換膜25經(jīng)由該導電性樹脂部件15電連接的構成。
[0102]下面，使用【附圖說明】本實施方式的X射線圖像傳感器的制造方法的一例。圖5是用截面表示本實施方式的X射線圖像傳感器的制造工序的說明圖。
[0103]首先，與上述第1實施方式的情況同樣(即與圖2所示的情況同樣)地進行柵極電極形成工序、柵極絕緣膜形成工序、氧化物半導體層形成工序、源極漏極形成工序以及鈍化膜形成工序。
[0104]此外，在本實施方式中，從以不降低薄膜晶體管5的特性的方式確保存儲電容的大小的觀點來看，成為將圖4所示的鈍化膜12的厚度H3設定為5?500nm的構成。
[0105]<平坦化膜形成工序>
[0106]然后，在形成有鈍化膜12的整個基板中，通過旋涂法或者狹縫涂布法按厚度0.5μπι?ΙΟμπι的程度涂敷包括感光性丙烯酸樹脂等的感光性的有機絕緣膜，由此如圖5所示在鈍化膜12上形成平坦化膜13。
[0107]此外，在本實施方式中，如圖5所示，平坦化膜13以覆蓋薄膜晶體管5的氧化物半導體層9的方式配置于與該氧化物半導體層9相對的部分。
[0108]另外，以覆蓋柵極總線上的方式形成平坦化膜13，由此能減小在源極總線交叉的部分產(chǎn)生的電容。
[0109]<電容電極形成工序>
[0110]然后，在形成有平坦化膜13的整個基板中，通過濺射法形成例如包括銦鋅氧化物的ΙΖ0膜(厚度是50nm?500nm程度)等的透明導電膜，之后對該透明導電膜進行光刻、濕蝕刻以及抗蝕劑的剝離清洗，由此如圖5所示以覆蓋平坦化膜13的方式在該平坦化膜13上和鈍化膜12上形成電容電極14。因而，由漏極電極11、鈍化膜12以及電容電極14構成存儲電容。
[0111]<接觸孔形成工序>
[0112]然后，通過光刻形成圖案，進行曝光、顯影，使用蝕刻法進行圖案化，由此如圖4所示蝕刻鈍化膜12，形成接觸孔32。
[0113]<間隔物形成工序>
[0114]然后，通過光刻法形成間隔物19。更具體地，在形成有電容電極14的整個基板中，通過旋涂法涂敷丙烯酸系的感光性樹脂，在隔著光掩膜對該涂敷的感光性樹脂進行曝光后對其進行顯影，由此將間隔物19的厚度形成為4μπι程度。
[0115]如上所示，能制作薄膜晶體管基板31。
[0116]并且，與上述第1實施方式的情況同樣地，進行導電性樹脂部件形成工序和貼合工序，由此使設于薄膜晶體管基板31和相對基板3之間的導電性樹脂部件15與設于薄膜晶體管基板31的漏極電極11和設于相對基板3的轉(zhuǎn)換膜25接觸，使漏極電極11與轉(zhuǎn)換膜25經(jīng)由導電性樹脂部件15電連接。
[0117]如上所示，能制造本實施方式的X射線圖像傳感器30。
[0118]在以上說明的本實施方式中能得到以下效果。
[0119](3)在本實施方式中，薄膜晶體管基板31具備:由漏極電極11、鈍化膜12以及電容電極14構成的存儲電容和由輔助電容電極7、柵極絕緣膜8以及漏極電極11構成的存儲電容。因而，即使在X射線圖像傳感器30實現(xiàn)高精細化，由此使構成存儲電容的電極的面積變小的情況下，與上述現(xiàn)有的X射線圖像傳感器相比，也能可靠地確保存儲電容。其結果是，能可靠地判斷由X射線的強弱導致的電荷轉(zhuǎn)換差，因此在實現(xiàn)了高精細化的X射線圖像傳感器30中能得到高分辨率的圖像。
[0120](4)另外，與上述第1實施方式的X射線圖像傳感器1不同，由于無需設置層間絕緣膜16和像素電極17，因此X射線圖像傳感器30的構成被簡化，能以不增加制造工序數(shù)量的方式確保存儲電容。
[0121](第3實施方式)
[0122]下面，說明本發(fā)明的第3實施方式。圖6是本發(fā)明的第3實施方式的X射線圖像傳感器的截面圖。此外，對與上述第1和第2實施方式同樣的構成部分附上同一附圖標記而省略其說明。
[0123]本實施方式的X射線圖像傳感器40在如下方面具有特征:在上述第2實施方式的X射線圖像傳感器30中設有在第1實施方式中說明的層間絕緣膜16和像素電極17，追加了由電容電極14、層間絕緣膜16以及像素電極17構成的存儲電容。
[0124]根據(jù)這種構成，本實施方式的X射線圖像傳感器40具備:由輔助電容電極7、柵極絕緣膜8以及漏極電極11構成的存儲電容、由漏極電極11、鈍化膜12以及電容電極14構成的存儲電容、和由電容電極14、層間絕緣膜16以及像素電極17構成的存儲電容，因此與上述現(xiàn)有的X射線圖像傳感器相比，能更進一步可靠地確保存儲電容。其結