施例中，第四半導(dǎo)體器件由一個(gè)或多個(gè)管芯、封裝件、系統(tǒng)級封裝件、SMD、IAD和/或IB)構(gòu)成。在某些實(shí)施例中，焊球可以用于耦合器件402。
[0046]圖5根據(jù)某些實(shí)施例對具有作為第一封裝器件500 (封裝件500)的晶圓級芯片尺寸封裝件的堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件實(shí)例的截面?zhèn)纫晥D進(jìn)行了示意性地說明。圖5的實(shí)施例可以與圖2的IC組件200的實(shí)施例一致，并去除了電路板206并且利用具有管芯504a和襯底502的WLCSP 504替換了半導(dǎo)體器件104。因此，之前為圖3的IC組件200所提供的部件、材料以及方法的描述可以適用于圖5的封裝件500。
[0047]在某些實(shí)施例中，利用晶圓級工藝來制造圖5的封裝件500。在某些實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體器件106d利用晶圓級工藝耦合到WLCSP 504的襯底502。在某些實(shí)施例中，器件106d通過以下耦合結(jié)構(gòu)和方法耦合到襯底502:焊球、經(jīng)電鍍的微凸塊、焊焊盤印刷或銅柱或者其它適當(dāng)?shù)鸟詈辖Y(jié)構(gòu)和方法。在某些實(shí)施例中，利用回流處理來耦合器件106d。在某些實(shí)施例中，介電層例如利用晶圓級工藝(例如，PI的旋涂、鈍化膜和/或ΡΒ0)耦合到襯底 502。
[0048]在某些實(shí)施例中，如圖1-圖3所示的第一半導(dǎo)體器件104是FOWLP。在某些實(shí)施例中，RDL在人造晶元上，或者與嵌入式硅管芯鑲嵌，隨后利用焊球、經(jīng)電鍍的微凸塊、焊焊盤印刷或銅柱或者其它適當(dāng)?shù)鸟詈辖Y(jié)構(gòu)和方法在RDL的頂部上附接懸空管芯。在某些實(shí)施例中，利用回流處理來耦合器件106d。在某些實(shí)施例中，介電層例如利用晶圓級工藝(例如，PI的旋涂、鈍化膜和/或ΡΒ0)耦合到襯底102。在某些實(shí)施例中，人造板襯底技術(shù)用于ABF的層疊，或者類似的介電薄膜用于使介電層108耦合到襯底102。
[0049]圖6根據(jù)某些實(shí)施例對制造堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件的方法600進(jìn)行了示意性地說明。方法600可以用于制造圖1-圖5中所說明的實(shí)施例，以便將實(shí)施例附接到圖2中所示的電路板206。所使用的附圖標(biāo)記是圖1-圖5中使用的那些。
[0050]在602處，方法600可以包括提供襯底102、襯底502，其中，第一半導(dǎo)體器件104、第一半導(dǎo)體器件504親合到第一側(cè)102a、第一側(cè)502a，并且第二半導(dǎo)體器件106親合到襯底102、襯底502的第二側(cè)/對側(cè)102b、第二側(cè)/對側(cè)502b。在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件104、半導(dǎo)體器件504和半導(dǎo)體器件106例如可以與面向倒裝芯片配置中的襯底的有源側(cè)耦合。在某些實(shí)施例中，晶圓級處理可以用于602處(例如，包括WLCSP、eWLBGA或FOWLP等)，其中硅管芯可以是起點(diǎn)，并且然后可以添加RDL層，并且RDL層可以是襯底。
[0051]在604處，方法600可以包括在第二側(cè)102b、第二側(cè)502b上形成介電層108，其中介電層包封第二半導(dǎo)體器件106。在某些實(shí)施例中，晶圓級處理可以用于形成介電層108。在某些實(shí)施例中，可以通過層疊或旋涂或者其組合來形成介電層。在某些實(shí)施例中，為了制造導(dǎo)電過孔，可以利用激光鉆孔或者另一適當(dāng)?shù)姆椒ㄔ诮殡妼?08中創(chuàng)建開口部。在某些實(shí)施例中，可以通過化學(xué)鍍工藝或電鍍工藝或者其組合來形成導(dǎo)電過孔。
[0052]在608處，方法600可以使重新分布層(RDL) 202耦合到介電層108。在某些實(shí)施例中，RDL層202可以是由導(dǎo)電層和介電層構(gòu)成的兩層或者更多層，并且可以通過層疊或涂覆或者其組合來形成。在某些實(shí)施例中，堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件可以耦合到電路板206。
[0053]在610處，方法600可以使一個(gè)或多個(gè)額外半導(dǎo)體器件302耦合到RDL202。在某些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)額外半導(dǎo)體器件402可以耦合到第一半導(dǎo)體器件104。在某些實(shí)施例中，耦合到電路板206的耦合區(qū)域可以包括RDL 202的全部區(qū)域，包括不在扇出區(qū)域102g中的第二半導(dǎo)體器件106下方的區(qū)域。
[0054]圖7根據(jù)某些實(shí)施例以及如圖1-圖5中示出的實(shí)例以及圖6的方法所述對制造的各個(gè)階段期間的堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件的截面?zhèn)纫晥D進(jìn)行了示意性地說明。圖7的結(jié)構(gòu)可以具有與圖1-圖5中的附圖標(biāo)記相似的附圖標(biāo)記，并且旨在表示相似的結(jié)構(gòu)，除非另有說明。結(jié)構(gòu)702對應(yīng)于方法600的602。結(jié)構(gòu)702示出了耦合到襯底722的第一半導(dǎo)體器件720，以及耦合到襯底722的第二半導(dǎo)體器件726。結(jié)構(gòu)704對應(yīng)于方法600的602。在結(jié)構(gòu)704中，結(jié)構(gòu)702可以具有耦合到襯底722的介電層724，并且包封第二半導(dǎo)體器件726。結(jié)構(gòu)706對應(yīng)于方法600中的606。在結(jié)構(gòu)706中，介電層724可以具有通過其所形成的導(dǎo)電過孔，以形成介電層724b。結(jié)構(gòu)708對應(yīng)于方法600的608。在結(jié)構(gòu)708中，可以存在由至少一個(gè)導(dǎo)電層728和一個(gè)介電層730所構(gòu)成的重新分布層。結(jié)構(gòu)708可以具有焊球或者在RDL上并且耦合到電路板(例如，圖8的母板)的其它耦合結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)710對應(yīng)于方法600的610。在結(jié)構(gòu)710中，附加的半導(dǎo)體器件732可以耦合到RDL。結(jié)構(gòu)712對應(yīng)于方法600的610。在結(jié)構(gòu)712中，附加的半導(dǎo)體器件730可以通過過孔734耦合到器件720。結(jié)構(gòu)714對應(yīng)于方法600的610。在結(jié)構(gòu)714中，附加的半導(dǎo)體器件730可以通過過孔734耦合到器件720，并且另一附加的半導(dǎo)體器件732可以耦合到RDL。
[0055]通過最有助于理解要求保護(hù)的主題的方式依次將各個(gè)操作描述為多個(gè)分立的操作。然而，描述的順序不應(yīng)解釋為暗示這些操作必然地順序相關(guān)。
[0056]可以將本發(fā)明的實(shí)施例實(shí)施為利用任意適當(dāng)?shù)挠布?或軟件來按照期望進(jìn)行配置的系統(tǒng)。圖8根據(jù)某些實(shí)施例示意性地對如圖1-圖5所示并且如前所述包括有如本文所述的堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件的計(jì)算設(shè)備進(jìn)行了說明。計(jì)算設(shè)備800可以容納諸如母板802之類的板(例如，外殼808中)。母板802可以包括多個(gè)部件，包括(但不限于)處理器804以及至少一個(gè)通信芯片806。處理器804可以物理耦合和電耦合到母板802。在某些實(shí)施例中，至少一個(gè)通信芯片806也可以物理耦合和電耦合到母板802 ο在其它實(shí)施方式中，通信芯片806可以是處理器804的一部分。
[0057]取決于其應(yīng)用，計(jì)算設(shè)備800可以包括可以物理耦合和電耦合到母板802也可以不耦合到母板802的其它部件。這些其它部件包括(但不限于)易失性存儲器(例如，DRAM)、非易失性存儲器(例如，R0M)、閃存、圖形處理器、數(shù)字信號處理器、密碼處理器、芯片組、天線、顯示器、觸屏顯示器、觸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、指南針、MEMS傳感器、蓋革計(jì)數(shù)器、加速計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器、照相機(jī)以及大容量存儲設(shè)備(例如，硬焊盤驅(qū)動(dòng)器、光焊盤(CD)、數(shù)字通用光焊盤(DVD)等)O
[0058]通信芯片806可以實(shí)現(xiàn)用于將數(shù)據(jù)傳送到計(jì)算設(shè)備800并且傳送來自計(jì)算設(shè)備800的數(shù)據(jù)的無線通信。術(shù)語“無線”及其派生詞可以用于描述可以通過穿過非固體介質(zhì)的經(jīng)調(diào)制的電磁輻射來傳輸數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語并非意味著相關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何線，盡管在某些實(shí)施例中其可以不包含。通信芯片806可以實(shí)施包括有(但不限于)電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)標(biāo)準(zhǔn)的多個(gè)無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任意一個(gè)，電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)標(biāo)準(zhǔn)包括WiGig、W1-Fi (IEEE 802.11族)、IEEE802.16標(biāo)準(zhǔn)(例如，IEEE 802.16-2005修正)、長期演進(jìn)(LTE)項(xiàng)目以及任意修正、更新和/或修訂(例如，先進(jìn)LTE項(xiàng)目、超移動(dòng)寬帶(UMB)項(xiàng)目(也稱為“3GPP2”)等)。IEEE 802.16兼容寬帶無線接入(BWA)網(wǎng)絡(luò)通常指WiMAX網(wǎng)絡(luò)(代表微波存取全球互通的首字母縮略詞)，其是用于通過針對IEEE802.16標(biāo)準(zhǔn)的一致性和互通性測試的產(chǎn)品的認(rèn)證標(biāo)志。通信芯片806可以根據(jù)以下來進(jìn)行操作:全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)、通用無線分組業(yè)務(wù)(GPRS)、全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(UMTS)、高速分組接入(HSPA)、演進(jìn)型HSPA(E-HSPA)或者LTE網(wǎng)絡(luò)。通信芯片806可以根據(jù)以下來進(jìn)行操作:數(shù)據(jù)增強(qiáng)型GSM演進(jìn)(EDGE)、GSM EDGE無線接入網(wǎng)絡(luò)(GERAN)、通用陸地?zé)o線接入網(wǎng)絡(luò)(UTRAN)或者演進(jìn)型UTRAN(E-UTRAN)。通信芯片可以根據(jù)以下進(jìn)行操作:碼分多址(CDMA)、時(shí)分多址(TDMA)、數(shù)字增強(qiáng)無繩電信(DECT)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)及其派生物，以及指定為3G、4G、5G及以上的任意其它的無線協(xié)議。在其它實(shí)施例中，通信芯片806可以根據(jù)其它無線協(xié)議來進(jìn)行操作。
[0059]通信設(shè)備800可以包括多個(gè)通信芯片806。例如，第一通信芯片806可以專用于諸如WiGig、W1-Fi和藍(lán)牙之類的較短范圍的無線通信，第二通信芯片806可以專用于諸如GPS、EDGE、GPRS, CDMA, WiMAX、LTE, EV-TO及其它之類的較長范圍的無線通信。
[0060]通信設(shè)備800的處理器804可以封裝在如本文所述并且在圖1-圖5中示出的堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件中。例如，圖2的電路板206可以是母板802，處理器804可以是安裝在如圖1-圖5所述的堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件中的管芯104d、管芯106d、管芯408、管芯504a。堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件和母板802可以利用封裝級互聯(lián)焊球、焊盤、凸塊或柱或者其它適當(dāng)?shù)幕ヂ?lián)來耦合在一起?？梢愿鶕?jù)本文所描述的實(shí)施例來實(shí)施其它適當(dāng)?shù)呐渲谩Ｐg(shù)語“處理器”可以表示處理來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)從而將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為可以存儲在寄存器和/或存儲器中的其它電子數(shù)據(jù)的任意設(shè)備或設(shè)備的一部分。
[0061]通信芯片806也可以包括可以封裝在如本文所述的圖1-圖5的堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件中的管芯(例如，RF管芯)。在其它實(shí)施方式中，容納在計(jì)算設(shè)備800內(nèi)的另一個(gè)部件(例如，存儲設(shè)備或者其它集成電路設(shè)備)可以包括可以封裝在如本文所述的圖1-圖5的堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件中的管芯。
[0062]在各個(gè)實(shí)施方式中，計(jì)算設(shè)備800可以是膝上型計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、超極本、智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、超移動(dòng)PC、移動(dòng)電話、臺式計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂控制單元、數(shù)字照相機(jī)、便攜式音樂播放器或者數(shù)字視頻錄像機(jī)。在某些實(shí)施例中，計(jì)算設(shè)備800可以是移動(dòng)計(jì)算設(shè)備。在其它實(shí)施方