式中，計算設(shè)備800可以是對數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的任意其它電子設(shè)備。
[0063]實例
[0064]根據(jù)各個實施例，本公開內(nèi)容描述了堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件。堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件(封裝件)的實例I可以包括具有第一側(cè)以及與第一側(cè)相對的第二側(cè)的襯底，其中第一側(cè)具有多個焊盤并且第二側(cè)具有包括第二側(cè)扇出區(qū)域中的焊盤的多個焊盤，其中襯底具有被配置為使第一側(cè)上的多個焊盤中的焊盤與包括第二側(cè)扇出區(qū)域的焊盤的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤電耦合的電布線特征；具有與襯底的第一側(cè)上的多個焊盤中的焊盤耦合的第一器件焊盤側(cè)的第一半導(dǎo)體器件；具有與襯底的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤耦合的第二器件焊盤側(cè)的第二半導(dǎo)體器件，第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件通過襯底由電布線特征電耦合在一起；以及具有與襯底的第二側(cè)耦合的第一側(cè)并且包封第二半導(dǎo)體器件的介電層，其中介電層具有與第二側(cè)扇出區(qū)域中的焊盤電耦合的多個導(dǎo)電過孔，并且被配置為對介電層的第一側(cè)與介電層的第二側(cè)(介電層的第二側(cè)與介電層的第一側(cè)相對)之間的第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件的電信號進(jìn)行傳送。
[0065]實例2可以包括實例I的封裝件，其中第一半導(dǎo)體器件是倒裝芯片管芯。
[0066]實例3可以包括實例I的封裝件，其中第一半導(dǎo)體器件和襯底是包括一個或多個半導(dǎo)體管芯的組合的半導(dǎo)體封裝件。
[0067]實例4可以包括實例3的封裝件，其中組合的半導(dǎo)體封裝件包括晶圓級芯片尺寸封裝件、嵌入式扇出晶圓級封裝件或者扇入晶圓級封裝件。
[0068]實例5可以包括實例I的封裝件，還包括一個或多個附加的半導(dǎo)體器件中的至少一個，每個都具有耦合到襯底的第一側(cè)上的多個焊盤中的焊盤的多個焊盤；以及一個或多個附加的半導(dǎo)體器件，每個具有耦合到襯底的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤的多個焊盤，介電層包封一個或多個附加的半導(dǎo)體器件。
[0069]實例6可以包括實例I的封裝件，還包括包封第一半導(dǎo)體器件的模塑化合物。
[0070]實例7可以包括實例1-6中的任意一個的封裝件，其中第二半導(dǎo)體器件是倒裝芯片管芯、晶圓級芯片尺寸封裝件、晶圓級封裝件、嵌入式晶圓級封裝件或者面板級封裝件。
[0071]實例8可以包括實例I的封裝件，還包括具有與介電層的第二側(cè)耦合的第一側(cè)的重新分布層，其中重新分布層具有使多個導(dǎo)電過孔電耦合到重新分布層的第二側(cè)上的多個焊盤的多個導(dǎo)電通路，重新分布層的第二側(cè)與重新分布層的第一側(cè)相對，重新分布層的第二側(cè)上的多個焊盤包括第二半導(dǎo)體器件的區(qū)域下方的焊盤。
[0072]實例9可以包括實例8的封裝件，還包括以下中的至少一個:一個或多個附加的半導(dǎo)體器件，每個具有耦合到重新分布層的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤的多個焊盤；以及一個或多個第二組附加的半導(dǎo)體器件，每個具有多個焊盤，焊盤中的至少一個耦合到第一半導(dǎo)體器件的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤，第二側(cè)與第一器件焊盤側(cè)相對，第一半導(dǎo)體器件的第二側(cè)上的多個焊盤通過第一器件多個導(dǎo)電通路耦合到襯底。
[0073]實例10可以包括實例I的封裝件，其中第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件每個都是從以下器件所構(gòu)成的組中選擇的一個或多個器件:半導(dǎo)體管芯、無源半導(dǎo)體器件、有源半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝件、半導(dǎo)體模塊、表面安裝半導(dǎo)體器件和集成無源器件及其組合。
[0074]實例11可以包括實例I的封裝件，其中介電層由一層或多層聚合物材料或者一層或多層聚合物復(fù)合材料構(gòu)成。
[0075]實例12可以包括實例11的封裝件，其中聚合物材料或聚合物復(fù)合材料是從以下材料構(gòu)成的組中選擇的:味之素增強膜(ABF)、阻燃劑FR2、阻燃劑FR4、涂膠脂銅(RCC)箔、聚酰亞胺、鈍化膜、聚苯并噻唑(PBZT)、聚苯并噁唑(PBO)和模塑化合物及其組合。
[0076]制造堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件的方法(方法)的實例13可以包括提供具有第一側(cè)以及與第一側(cè)相對的第二側(cè)的襯底，第一側(cè)具有多個焊盤、第二側(cè)具有多個焊盤，并且具有第一器件焊盤側(cè)的第一半導(dǎo)體器件具有耦合到襯底的第一側(cè)上的多個焊盤的焊盤，具有第二器件焊盤側(cè)的第二半導(dǎo)體器件具有耦合到襯底的第二側(cè)上的多個焊盤的焊盤；并且在襯底的第二側(cè)上形成介電層，介電層包封第二半導(dǎo)體器件，形成還包括一個或多個聚合物材料或者一個或多個聚合物復(fù)合材料的層疊、涂覆或者層疊和涂覆的組合。
[0077]實例14可以包括實例13的方法，其中聚合物材料或聚合物復(fù)合材料是從以下材料構(gòu)成的組中選擇的:味之素增強膜(ABF)、阻燃劑FR2、阻燃劑FR4、涂膠脂銅(RCC)箔、聚酰亞胺、鈍化膜、聚苯并噻唑(PBZT)、聚苯并噁唑(PBO)和模塑化合物及其組合。
[0078]實例15可以包括實例13的方法，其中介電層的第一側(cè)與襯底的第二側(cè)耦合，該方法還包括通過介電層來形成導(dǎo)電過孔，以使得襯底的第二側(cè)上的多個焊盤中的至少一個連接到介電層的第二側(cè)上的多個焊盤中的至少一個，介電層的第二側(cè)與介電層的第一側(cè)相對。
[0079]實例16可以包括實例13的方法，還包括形成耦合到介電層的第二側(cè)的重新分布層。
[0080]實例17可以包括實例13的方法，還包括以下中的至少一個:使每個都具有焊盤側(cè)的一個或多個附加的半導(dǎo)體器件耦合到重新分布層上的多個焊盤中的焊盤；并且使每個都具有多個焊盤的一個或多個第二組附加的半導(dǎo)體器件耦合，焊盤中的至少一個耦合到第一半導(dǎo)體器件的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤，第二側(cè)與第一器件焊盤側(cè)相對，第一半導(dǎo)體器件的第二側(cè)上的多個焊盤通過第一器件多個導(dǎo)電通路耦合到襯底。
[0081]計算設(shè)備(設(shè)備)的實例18可以包括電路板；以及包括具有第一側(cè)以及與第一側(cè)相對的第二側(cè)的襯底的堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件，其中第一側(cè)具有多個焊盤，第二側(cè)具有包括第二側(cè)扇出區(qū)域中的焊盤的多個焊盤，其中襯底具有被配置為使第一側(cè)上的多個焊盤中的焊盤與包括第二側(cè)扇出區(qū)域的焊盤的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤電耦合的電布線特征；具有與襯底的第一側(cè)上的多個焊盤中的焊盤耦合的第一器件焊盤側(cè)的第一半導(dǎo)體器件；具有與襯底的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤耦合的第二器件焊盤側(cè)的第二半導(dǎo)體器件，第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件通過襯底由電布線特征耦合在一起；具有與襯底的第二側(cè)耦合的第一側(cè)并且包封第二半導(dǎo)體器件的介電層，其中介電層具有與第二側(cè)扇出區(qū)域中的焊盤電耦合的多個導(dǎo)電過孔，并且被配置為對介電層的第一側(cè)與介電層的第二側(cè)之間的第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件的電信號進(jìn)行傳送，介電層的第二側(cè)與介電層的第一側(cè)相對；以及具有與介電層的第二側(cè)耦合的第一側(cè)的重新分布層，其中重新分布層具有使多個導(dǎo)電過孔電耦合到重新分布層的第二側(cè)上的多個焊盤的多個導(dǎo)電通路，重新分布層的第二側(cè)與重新分布層的第一側(cè)相對，重新分布層的第二側(cè)電耦合到電路板，重新分布層的第二側(cè)上的多個焊盤包括第二半導(dǎo)體器件的區(qū)域下方的焊盤。
[0082]實例19可以包括實例18的設(shè)備，其中第一半導(dǎo)體器件是包封在模塑化合物中的倒裝芯片管芯。
[0083]實例20可以包括實例18的設(shè)備，其中第一半導(dǎo)體器件和襯底是包括一個或多個半導(dǎo)體管芯的組合的半導(dǎo)體封裝件。
[0084]實例21可以包括實例20的設(shè)備，其中組合的半導(dǎo)體封裝件包括晶圓級芯片尺寸封裝件、嵌入式扇出晶圓級封裝件或者扇入晶圓級封裝件。
[0085]實例22可以包括實例18的設(shè)備，還包括以下中的至少一個:一個或多個附加的半導(dǎo)體器件，每個具有多個焊盤，焊盤中的至少一個耦合到襯底的第一側(cè)上的多個焊盤中的焊盤；以及一個或多個附加的半導(dǎo)體器件，每個具有多個焊盤，焊盤中的至少一個耦合到襯底的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤，介電層包封一個或多個附加的半導(dǎo)體器件。
[0086]實例23可以包括實例18的設(shè)備，還包括包封第一半導(dǎo)體器件的模塑化合物。
[0087]實例24可以包括實例18-23中的任意一個的設(shè)備，其中第二半導(dǎo)體器件是倒裝芯片管芯、晶圓級芯片尺寸封裝件、晶圓級封裝件、嵌入式晶圓級封裝件或者面板級封裝件。
[0088]實例25可以包括實例18的設(shè)備，還包括以下中的至少一個:一個或多個附加的半導(dǎo)體器件，每個具有多個焊盤，焊盤中的至少一個耦合到重新分布層的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤；以及一個或多個第二組附加的半導(dǎo)體器件，每個具有多個焊盤，焊盤中的至少一個耦合到第一半導(dǎo)體器件的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤，第二側(cè)與第一器件焊盤側(cè)相對，第一半導(dǎo)體器件的第二側(cè)上的多個焊盤通過第一器件多個導(dǎo)電通路耦合到襯底。
[0089]實例26可以包括實例18的設(shè)備，其中第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件每個都是從以下器件所構(gòu)成的組中選擇的一個或多個器件:半導(dǎo)體管芯、無源半導(dǎo)體器件、有源半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝件、半導(dǎo)體模塊、表面安裝半導(dǎo)體器件和集成無源器件及其組合。
[0090]實例27可以包括實例18的設(shè)備，其中介電層由一層或多層聚合物材料或者一層或多層聚合物復(fù)合材料構(gòu)成。
[0091]實例28可以包括實例27的設(shè)備，其中該材料是從以下材料構(gòu)成的組中選擇的:味之素增強膜(ABF)、阻燃劑FR2、阻燃劑FR4、涂膠脂銅(RCC)箔、聚酰亞胺、鈍化膜、聚苯并噻唑(PBZT)、聚苯并噁唑(PBO)和模塑化合物及其組合。
[0092]實例29可以包括實例18的設(shè)備，其中計算設(shè)備是穿戴式設(shè)備或者移動計算設(shè)備，穿戴式設(shè)備或者移動計算設(shè)備包括與電路板耦合的以下設(shè)備中的一個或多個:天線、顯示器、觸屏顯示器、觸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、指南針、蓋革計數(shù)器、加速計、陀螺儀、揚聲器或者照相機。
[0093]實例30可以包括實例18的設(shè)備，其中電路板由柔性材料構(gòu)成。
【主權(quán)項】
1.一種堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件，包括: 襯底，所述襯底具有第一側(cè)以及與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)，其中，所述第一側(cè)具有多個焊盤，并且所述第二側(cè)具有包括第二側(cè)扇出區(qū)域中的焊盤的多個焊盤，其中，所述襯底具有電布線特征，該電布線特征被配置為使所述第一側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤與包括所述第二側(cè)扇出區(qū)域的所述焊盤的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤電耦合； 第一半導(dǎo)體器件，所述第一半導(dǎo)體器件具有與所述襯底的所述第一側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤耦合的第一器件焊盤側(cè)； 第二半導(dǎo)體器件，所述第二半導(dǎo)體器件具有與所述襯底的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤耦合的第二器件焊盤側(cè)，所述第一半導(dǎo)體器件和所述第二半導(dǎo)體器件借