助所述電布線特征通過所述襯底電親合在一起；以及 介電層，所述介電層具有與所述襯底的所述第二側(cè)耦合的第一側(cè)并且包封所述第二半導(dǎo)體器件，其中，所述介電層具有多個導(dǎo)電過孔，所述多個導(dǎo)電過孔與所述第二側(cè)扇出區(qū)域中的所述焊盤電耦合并且被配置為在對所述介電層的所述第一側(cè)與所述介電層的第二側(cè)之間傳送所述第一半導(dǎo)體器件和所述第二半導(dǎo)體器件的電信號，所述介電層的所述第二側(cè)與所述介電層的所述第一側(cè)相對。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述第一半導(dǎo)體器件是倒裝芯片管芯。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述第一半導(dǎo)體器件和所述襯底是包括一個或多個半導(dǎo)體管芯的組合的半導(dǎo)體封裝件。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝件，其中，所述組合的半導(dǎo)體封裝件包括晶圓級芯片尺寸封裝件、嵌入式扇出晶圓級封裝件或者扇入晶圓級封裝件。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，還包括以下中的至少一個: 一個或多個附加的半導(dǎo)體器件，所述一個或多個附加的半導(dǎo)體器件中的每一個附加的半導(dǎo)體器件都具有與所述襯底的所述第一側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤耦合的多個焊盤；以及 一個或多個附加的半導(dǎo)體器件，所述一個或多個附加的半導(dǎo)體器件中的每一個附加的半導(dǎo)體器件都具有與所述襯底的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤耦合的多個焊盤，所述介電層包封所述一個或多個附加的半導(dǎo)體器件。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，還包括模塑化合物，所述模塑化合物包封所述第一半導(dǎo)體器件。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的封裝件，其中，所述第二半導(dǎo)體器件是倒裝芯片管芯、晶圓級芯片尺寸封裝件、晶圓級封裝件、嵌入式晶圓級封裝件或者面板級封裝件。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，還包括: 重新分布層，所述重新分布層具有與所述介電層的所述第二側(cè)耦合的第一側(cè)，其中，所述重新分布層具有多個導(dǎo)電通路，所述多個導(dǎo)電通路使所述多個導(dǎo)電過孔電耦合到所述重新分布層的第二側(cè)上的多個焊盤，所述重新分布層的所述第二側(cè)與所述重新分布層的所述第一側(cè)相對，所述重新分布層的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤包括所述第二半導(dǎo)體器件的區(qū)域下方的焊盤。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝件，還包括以下的至少其中之一: 一個或多個附加的半導(dǎo)體器件，所述一個或多個附加的半導(dǎo)體器件中的每一個附加的半導(dǎo)體器件都具有與所述重新分布層的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤耦合的多個焊盤；以及 一個或多個第二組附加的半導(dǎo)體器件，所述一個或多個第二組附加的半導(dǎo)體器件中的每一個都具有多個焊盤，所述焊盤中的至少一個耦合到所述第一半導(dǎo)體器件的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤，所述第二側(cè)與所述第一器件焊盤側(cè)相對，所述第一半導(dǎo)體器件的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤通過第一器件多個導(dǎo)電通路耦合到所述襯底。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述第一半導(dǎo)體器件和所述第二半導(dǎo)體器件分別是選自以下器件所構(gòu)成的組中的一個或多個器件:半導(dǎo)體管芯、無源半導(dǎo)體器件、有源半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝件、半導(dǎo)體模塊、表面安裝半導(dǎo)體器件和集成的無源器件及其組入口 O11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述介電層由一層或多層聚合物材料或者一層或多層聚合物復(fù)合材料構(gòu)成。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝件，其中，所述聚合物材料或所述聚合物復(fù)合材料選自以下構(gòu)成的組:味之素增強(qiáng)膜(ABF)、阻燃劑FR2、阻燃劑FR4、涂膠脂銅(RCC)箔、聚酰亞胺、鈍化膜、聚苯并噻唑(PBZT)、聚苯并噁唑(PBO)和模塑化合物及其組合。13.—種制造堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件的方法，所述方法包括: 提供具有第一側(cè)以及與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)的襯底，所述第一側(cè)具有多個焊盤、所述第二側(cè)具有多個焊盤，并且具有第一器件焊盤側(cè)的第一半導(dǎo)體器件具有與所述襯底的所述第一側(cè)上的所述多個焊盤耦合的焊盤，具有第二器件焊盤側(cè)的第二半導(dǎo)體器件具有與所述襯底的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤耦合的焊盤；并且 在所述襯底的所述第二側(cè)上形成介電層，所述介電層包封所述第二半導(dǎo)體器件，形成還包括對一個或多個聚合物材料或者一個或多個聚合物復(fù)合材料的層疊、涂覆或者層疊與涂覆的組合。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述聚合物材料或所述聚合物復(fù)合材料選自以下構(gòu)成的組:味之素增強(qiáng)膜(ABF)、阻燃劑FR2、阻燃劑FR4、涂膠脂銅(RCC)箔、聚酰亞胺、鈍化膜、聚苯并噻唑(PBZT)、聚苯并噁唑(PBO)和模塑化合物及其組合。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述介電層的第一側(cè)與所述襯底的所述第二側(cè)耦合，所述方法還包括: 形成穿過所述介電層的導(dǎo)電過孔，以便將所述襯底的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤中的至少一個焊盤連接到所述介電層的第二側(cè)上的多個焊盤中的至少一個焊盤，所述介電層的所述第二側(cè)與所述介電層的所述第一側(cè)相對。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括: 形成重新分布層，所述重新分布層與所述介電層的所述第二側(cè)耦合。17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括以下的至少其中之一: 將具有焊盤側(cè)的一個或多個附加的半導(dǎo)體器件中的每一個附加的半導(dǎo)體器件都與所述重新分布層上的多個焊盤中的焊盤耦合；以及 耦合一個或多個第二組附加的半導(dǎo)體器件，所述一個或多個第二組附加的半導(dǎo)體器件中的每一個都具有多個焊盤，所述焊盤中的至少一個耦合到所述第一半導(dǎo)體器件的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤，所述第二側(cè)與所述第一器件焊盤側(cè)相對，所述第一半導(dǎo)體器件的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤通過第一器件多個導(dǎo)電通路耦合到所述襯底。18.一種計(jì)算設(shè)備，包括: 電路板；以及 堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件，包括: 襯底，所述襯底具有第一側(cè)以及與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)，其中，所述第一側(cè)具有多個焊盤，并且所述第二側(cè)具有包括第二側(cè)扇出區(qū)域中的焊盤的多個焊盤，其中，所述襯底具有電布線特征，該電布線特征被配置為使所述第一側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤與包括所述第二側(cè)扇出區(qū)域的焊盤的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤電耦合； 第一半導(dǎo)體器件，所述第一半導(dǎo)體器件具有與所述襯底的所述第一側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤耦合的第一器件焊盤側(cè)； 第二半導(dǎo)體器件，所述第二半導(dǎo)體器件具有與所述襯底的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤耦合的第二器件焊盤側(cè)，所述第一半導(dǎo)體器件和所述第二半導(dǎo)體器件借助所述電布線特征通過所述襯底親合在一起； 介電層，所述介電層具有與所述襯底的所述第二側(cè)耦合的第一側(cè)并且包封所述第二半導(dǎo)體器件，其中，所述介電層具有多個導(dǎo)電過孔，所述多個導(dǎo)電過孔與所述第二側(cè)扇出區(qū)域中的所述焊盤電耦合并且被配置為在所述介電層的所述第一側(cè)與所述介電層的第二側(cè)之間傳送所述第一半導(dǎo)體器件和所述第二半導(dǎo)體器件的電信號，所述介電層的所述第二側(cè)與所述介電層的所述第一側(cè)相對；以及 重新分布層，所述重新分布層具有與所述介電層的所述第二側(cè)耦合的第一側(cè)，其中，所述重新分布層具有多個導(dǎo)電通路，所述多個導(dǎo)電通路將所述多個導(dǎo)電過孔電耦合到所述重新分布層的第二側(cè)上的多個焊盤，所述重新分布層的所述第二側(cè)與所述重新分布層的所述第一側(cè)相對，所述重新分布層的所述第二側(cè)電耦合到所述電路板，所述重新分布層的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤包括所述第二半導(dǎo)體器件的區(qū)域下方的焊盤。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的計(jì)算設(shè)備，其中，所述第一半導(dǎo)體器件是包封在模塑化合物中的倒裝芯片管芯。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的計(jì)算設(shè)備，其中，所述第一半導(dǎo)體器件和所述襯底是包括一個或多個半導(dǎo)體管芯的組合的半導(dǎo)體封裝件。21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的計(jì)算設(shè)備，還包括以下的至少其中之一: 一個或多個附加的半導(dǎo)體器件，所述一個或多個附加的半導(dǎo)體器件中的每一個附加的半導(dǎo)體器件都具有多個焊盤，所述焊盤中的至少一個焊盤耦合到所述襯底的所述第一側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤；以及 一個或多個附加的半導(dǎo)體器件，所述一個或多個附加的半導(dǎo)體器件中的每一個附加的半導(dǎo)體器件都具有多個焊盤，所述焊盤中的至少一個焊盤耦合到所述襯底的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤，所述介電層包封所述一個或多個附加的半導(dǎo)體器件。22.根據(jù)權(quán)利要求18-21中任一項(xiàng)所述的計(jì)算設(shè)備，其中，所述第二半導(dǎo)體器件是倒裝芯片管芯、晶圓級芯片尺寸封裝件、晶圓級封裝件、嵌入式晶圓級封裝件或者面板級封裝件。23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的計(jì)算設(shè)備，還包括以下的至少其中之一: 一個或多個附加的半導(dǎo)體器件，所述一個或多個附加的半導(dǎo)體器件中的每一個附加的半導(dǎo)體器件都具有多個焊盤，所述焊盤中的至少一個焊盤耦合到所述重新分布層的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤中的焊盤；以及 一個或多個第二組附加的半導(dǎo)體器件，所述一個或多個附加的半導(dǎo)體器件中的每一個附加的半導(dǎo)體器件都具有多個焊盤，所述焊盤中的至少一個焊盤耦合到所述第一半導(dǎo)體器件的第二側(cè)上的多個焊盤中的焊盤，所述第二側(cè)與所述第一器件焊盤側(cè)相對，所述第一半導(dǎo)體器件的所述第二側(cè)上的所述多個焊盤通過第一器件多個導(dǎo)電通路耦合到所述襯底。24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的計(jì)算設(shè)備，其中，所述第一半導(dǎo)體器件和所述第二半導(dǎo)體器件分別是選自以下器件所構(gòu)成的組中的一個或多個器件:半導(dǎo)體管芯、無源半導(dǎo)體器件、有源半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝件、半導(dǎo)體模塊、表面安裝半導(dǎo)體器件和集成的無源器件及其組合。25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的計(jì)算設(shè)備，其中，所述計(jì)算設(shè)備是穿戴式設(shè)備或者移動計(jì)算設(shè)備，所述穿戴式設(shè)備或者所述移動計(jì)算設(shè)備包括與所述電路板耦合的以下設(shè)備中的一個或多個:天線、顯示器、觸屏顯示器、觸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、指南針、蓋革計(jì)數(shù)器、加速計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器或者照相機(jī)。
【專利摘要】本發(fā)明描述了堆疊式半導(dǎo)體器件封裝件的實(shí)施例以及相關(guān)聯(lián)的技術(shù)和配置。封裝件可以包括具有互聯(lián)的封裝襯底，以及附接到一側(cè)的第一半導(dǎo)體器件和附接到對側(cè)的第二半導(dǎo)體器件。該器件可以附接在倒裝芯片配置中，焊盤側(cè)在襯底的對側(cè)上彼此相對。該器件可以通過互聯(lián)來電耦合。該器件可以電耦合到襯底上的扇出焊盤。介電層可以耦合到襯底的第二側(cè)，并且包封第二器件。過孔可以通過介電層對來自扇出區(qū)域的電信號進(jìn)行傳動，并且傳送到耦合到介電層的重新分布層中?？梢悦枋龊?或要求保護(hù)其它實(shí)施例。
【IPC分類】H01L23/482, H01L21/50, H01L21/60, H01L23/538
【公開號】CN105518860
【申請?zhí)枴緾N201480026189
【發(fā)明人】C·蓋斯勒, G·塞德曼, K·賴因格魯貝爾
【申請人】英特爾Ip公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2014年12月19日
【公告號】WO2016099523A1